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第四章半导体器件4.1 半导体技术我们目前在食用的最重要的可能也是最令人兴奋的电子元器件都是有半导体材料制成的。这些元器件，如二极管、晶体管、晶闸管、热敏电阻、太阳能电池、光敏晶体管、激光器和集成电路等，都是由半导体材料或半导体元件制作的。4.1.1什么是半导体?各种材料可按它们的导电能力进行分类。电流容易通过的材料，如银、铜等，称为导体，而电流难以通过的材料，如橡胶、玻璃和聚四氟乙烯等，称为绝缘体；还有第三类材料，他们的导电能力介于导体和绝缘体之间，这类材料称为半导体。同一族的半导体具有某一间导电率。专业的讲，半导体是指那些导电率σ 处于Ω/cm范围内的材料（见下图）。有些半导体为纯元素（如硅、锗），为合金（如镍合金、黄铜），还有的半导体为液态。硅硅是制造电了元器件的最重要的半导体材料。其他的半导体如锗、硒等有时也使用，但没有硅应用得那么广泛。纯净的硅其有独特的原子结构，这种结构且有非常重要的特性，这种特性在制作电子器件时有用。在地壳中，硅的含量在所有元素中占第二位。平均说来，火成岩断27%的成分足硅。据估计一立方千米的海水中。大约包含3600吨硅。自然界中极难找到纯净的硅晶体，必须先将硅从与它共生在一起的其他元素中分离出来。然后才可被用来制作电子元器件。化学家、材料学家等先把硅提纯，再将其熔化。然后川籽晶生长得到大尺寸的硅晶棒。硅品棒被切成硅品片，半导休器件的设计者再用它来制作新奇的电子元器件。这种改造的方法就是掺杂。对于半导体器件的设计者来说.如果只有硅晶片，其作用并不大。设计者并不用纯净的硅来制作元件，因为它没有要使它有用而必须其备的性质。半导体设计者须寻找一种可以改变硅的导电状态的材料，以使硅在某时刻起异体的作用，而在另一时刻起绝缘体的作用。为了使材料的导电状态可以改变，这些材料必须具备对作用于它的外加强制力（如外加的电压）作用响应的能力。纯净的硅片没有这种能力，事实上，纯净的硅片更接近于绝缘体，当外加的强制力作用于它时，并不能使它改变导电性能。今天的每一个设计者都知道，硅晶片可以加以改造，并可以和其他经过改造的硅片结合，来制作具有随外力作用而改变导电状态能力的元件。这种改造的方法就是掺杂。掺杂掺杂就像“加调料”，是指在硅晶片中添加杂质成分的过程。掺杂使晶片对半导休设计者来说变得有用。可以作为杂质的材料有多种，如锑、砷、铝和锗等.这些杂质成分可以使晶体具备某种特性，如对外加电压的额率响应特性、强度特性、热完整性及其他一些性质。但对半导体设计者来说，最重要的两种杂质是硼和磷。当硅晶片掺杂了硼和磷后，其特性发生了戏剧性的变化。正常情况下，纯净的硅晶片中没有自由电子。所有硅原子的四个价电子都被相邻硅原子的价电子间的共价键束缚(见图4.5),没有任何自由电子。外加电压只能在晶片中产生极小的电流。图4.5纯净的硅晶片中不包含任何自由电子，所有电子都被与相邻的原子间的共价健所束缚。然而，当硅晶片掺杂了磷后。非常有趣的事情发生了。磷原子与硅不同，有5个价电子而不是4个，其中4个价电子与相邻的4个硅原子的价电子形成共价键(见图4.6)。但第5个价电子却没有“家”(束缚位)，因而没有受到束缚力的约束而漂移离开了原子，成为自由电子。如果对掺杂了磷的硅片施加电压，硅片中未受束缚的电子将迁移到电压正端而形成电子流。掺杂到硅片中的磷越多，产生的电子流越大。掺杂了磷的硅叫作N型硅，或负电荷载流子型硅。图4.6一个磷原子加入硅晶片将产生一个不受束缚的参与导电的电子，掺杂了磷的硅叫作N型硅。现在。如果在纯净的硅中加入一些硼。你将会看到一种不同的导电效应。硼原子与硅原子或碑原子不同，它仅包含三个价电子。当硼掺杂到硅中，它的三个价电子都将和硅原子的价电子形成共价键(见图4.7)。但在一个硼原子与一个硅原子之问的共价键中将出现一个空位，叫作空穴。如果在掺杂了硼的硅片两端施加电压，空穴将向电压负端移动.而一个相邻的电子将填入原先的空穴中。空穴可被认为携带有正电荷，虽然它们并不含有一个实际的正电荷。换一个说法，之所以说空穴携带正电荷，是因为接受了空穴的硅原子核内的质子所携带的正电荷量与核外轨道上的负电荷量不平衡。便带有空穴的原子的净电荷量相当于一个质子携带的正电荷。掺杂了硼的硅称为p型硅或正电荷载流子型硅。图4.7硅中加入硼后产生了空穴，空穴就像正电荷（见前面所述），使硅易于导电，掺杂了硼的硅称为F型硅。现在你该明白，N型硅和P型硅都能导电，前者由未束缚的电子导电（N型硅），后者则依布空穴导电(P型硅)。注意避免混淆硼原子中有3个电子，不像硅那样有4个。这意味着二者混合后的原子晶格结构作为一个整体来看自由价电子更少，但这不意味P型硅半导体整体带正电荷，因为结构中缺少的电子正好被硼原子核中缺少的质子所平衡。同样的道理也适用于N型硅。这时的情况是半导体中多余电