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第六章 标准硅太阳能电池工艺 制造电池标准工艺 一. 硅材料准备。 二. 硅片制造。 三. 太阳能电池片制造。 四. 封装成太阳能电池组件。 一.硅材料准备 硅（Silicon）：原子序数14，IVA族，硅在宇宙中的储量排在第八位。硅以化合物形式存在于在地壳中，是含量仅次于氧的第二丰富元素 （27.7%）。 性状：具有明显的金属光泽，呈灰色。结晶型的硅是暗黑蓝色的，很脆，是典型的半导体。具有金刚石的晶体结构。 ?熔点：1687 K（1414 °C） 沸点：3173 K（2900 °C） 硅料按照纯度分类： （1）冶金级硅（工业硅，金属硅） （98%~99%） （2）半导体级硅 （99.999%以上）5N以上 （3）太阳能级硅 6N （4）电子级硅 9N （5）超纯硅 11N （1）. 由石英砂到冶金级硅（98%~99%） 在电弧炉中石英砂与木炭高温还原反应： SiO2+2C→Si+2CO （2）.冶金级硅到太阳能级硅（99.9999%）6N a. 四氯化硅法：（能耗大，材料利用率低） Si+2Cl2 →SiCl4，蒸馏， SiCl4+2H2 →Si+4HCl b.改良西门子法：（在太阳能级多晶硅制备中应用最广） Si+3HCl→SiHCl3+H2 SiHCl3+ H2 →Si+3HCl c. 硅烷法：(成本高）Si+2Mg →Mg2Si（+NH4Cl） →SiH4 →Si 二.硅片制造 （1）. 太阳能级硅制备成单晶硅棒。 a.直拉单晶法：（多晶硅融化，掺杂B，拉出圆柱形单晶硅，直径12.5cm，长度1-2m）. b.区熔法：将多晶硅缓慢穿过高功率金属线圈，融化结晶，形成单晶（纯度高，成本高）。 （2）. 切片，化学腐蚀修复机械损伤。 三.单晶硅太阳能电池片制造 （1）超声波清洗 设备要求：稳定性 好，精确度高（温 度、时间），操作 方便（换水方便）。 （2）表面腐蚀 工艺目的：去除表面损伤层和部分杂质。 工艺原理：利用硅在浓NaOH溶液中的各向同性腐蚀除去损伤层。 Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑ 工艺条件；生产常用NaOH溶液质量分数为20%左右，温度85±5℃，时间0.2—3min 具体据原始硅片的厚度和表面损伤情况而定。 （3）制作绒面 目的；制作绒面，减少反射，提升硅片对光吸收效率。 原理；利用Si在稀NaOH溶液中的各向异性腐蚀，在硅片表面形成无数个3—6微米的金字塔结构，这样光照在硅片表面便会经过多次反射和折射，增加了对光的吸收。 条件；生产常用NaOH质量分数1%左右，Na2SiO3 1.5%—2%，乙醇或异丙醇每次约加200—400ml(50L混合液）。温度85±5℃,时间15—45min，具体工艺据硅片种类、减薄后厚度和上次生产情况而定。 质量目标：绒面后硅片表面颜色深灰无亮点、均匀、气泡印小，无篮脚印、白花等现象。400倍显微镜下大小符合标准，倒金字塔结构均匀。 （4）扩散 目的；形成PN结。 原理；（POCl3液态源高温扩散），POCl3在高温下经过一系列化学反应生成单质P，P在高温下扩散进入硅片表面，与本已经掺B的硅形成PN结。 4POCl3+3O2→2P2O5+6Cl2 2P2O5+5Si→5SiO2+4P 扩散炉 设备要求： 精确度高 可准确控制反应管 的实际工艺温度 和气 流量。 用于长时间连续工作、 高精度、高稳定性、 自动控制。 （5）刻蚀 目的；去除周边短路环和磷硅玻璃。 原理：在辉光放电条件下，CF4和O2生成等离子体，交替对周边作用，使周边电阻增大。 CF4→C4++4F- O2→2O2- F+Si→SiF4 SiF4挥发性高，随即被抽走。 工艺条件：CF4︰O2=10︰1 板流：0.35—0.4A 板压：1.5—2KV 压强：80—120Pa 刻蚀时间：10—16min 质量目标;刻边电阻大于5KΩ，刻边宽度1—2mm间。 等离子体刻蚀机 设备要求： 工艺重复性好， 刻蚀速度快、 均匀性好 。 密封性能好、 操作安全 （6）表面镀膜 PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ） 目