5.3_结型场效应管.pptVIP

N P P g(栅极) s源极 d漏极 N沟道结型场效应管结构 基底 ：N型半导体 两边是P区 导电沟道 d g s 5.3 结型场效应管 P N N g(栅极) s源极 d漏极 P沟道结型场效应管结构 基底 ：P型半导体 两边是N区 导电沟道 d g s N g s d vDS vGS N N P＋ iD P＋ 正常工作条件 vDS为正值， vGS为负值。 一、NJFET工作原理 - + + - （2）vGS越负则耗尽区越宽，导电沟道越窄,电阻越大， iD越小。 vGS对沟道导电能力的影响 （1）当vGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。ds间相当于线性电阻。 NJFET工作原理 N g s d vDS N N P＋ iD P＋ - + + - vGS vGS对沟道导电能力的影响 （3） vGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，ds间被夹断，这时，即使vDS ? 0V，漏极电流iD=0A。 VP:夹断电压 两侧阻挡层相遇，沟道消失， iD＝0时的电压 NJFET工作原理 vDS对沟道导电能力的控制 N g s d vDS vGS N N iD - + + - P＋ P＋ 源极：反偏电压vGS最小沟道最宽 漏极： 反偏电压vGD＝vGS－ vDS最大，沟道最窄 （1） vGDVP即vDSvGS-VP时，导电沟道不均匀 vDS增大则被夹断区向下延伸。 N g s d vDS vGS N N iD - + + - P＋ P＋ NJFET工作原理 vDS对沟道导电能力的控制 （2） vGD=VP 即vDS=vGS-VP时，漏端的沟道被夹断，称为预夹断 （3）此时，电流iD由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随vDS的增加而增加，呈恒流特性。 iD/mA V DS/V 0 5 10 15 20 25 非饱和区 iD同时受vGS和vDS的控制 饱和区 截至区 -0.5V -1V vGS=0V -1.5V -2V 击穿区 二、NJFET输出特性曲线 VP=-2V iD/mA vDS/V 0 5 10 15 20 25 -2 -1 0 1 2 iD/mA v GS/V V DS=10V -0.5V -1V vGS=0V -1.5V -2V 一定vDS下的iD-vGS曲线 IDSS 饱和漏极电流 夹断电压 NJFET转移特性曲线 VP=5V iD/mA －vDS/V 0 5 10 15 20 25 1V 3V vGS=0V 4V 5V 三、PJFET d g s （输出特性） （转移特性） （符号） 0 1 2 3 4 5 iD/mA v GS/V IDSS 1、结构 2、工作原理 3、转移特性 4、输出特性 结型场效应管－演示 一、偏置电路及静态分析 1、自偏压电路（用于耗尽型） ○ ○ ○ ○ ○ ● ● ● ● ● ● Cb1 Rg Rs C Cb2 Rd T + - + - vi vo VDD 2）图解法 输入回路直流负载线 输出回路直流负载线 1）估算法 JFET放大电路分析（1） 2、分压式自偏压电路 对于增强型 - vo ○ ○ ○ ○ ○ ● ● ● ● ● ● Cb1 Rg3 Rs C Cb2 Rd T + - + vi VDD ● ● Rg2 Rg1 VGS可正可负可零。 对于耗尽型 JFET放大电路分析（2） JFET放大电路分析（3） 二、动态分析 - vo ○ ○ ○ ○ ○ ● ● ● ● ● ● Cb1 Rg3 Rs C Cb2 Rd T + - + vi VDD ● ● Rg2 Rg1 场效应管电路符号 g s d B NDMOS　 g s d B g s d B NEMOS　 g s d B d g s d g s NJFET　 PDMOS　 PEMOS　 PJFET　 箭头方向指向沟道，为NFET 沟道线是虚线，为增强型FET 沟道线是实线，为耗尽型FET 箭头由沟道指出，为PFET g s d iD vGS iD v DS 增强型MOS g s d vGS iD iD vDS 耗尽型MOS vGS iD iD v DS 结型 N沟道场效应管 d g s VDS0 vGS0 vGS0,=0,0 vGS0 vGSVT或VP 放大：vDS?vGS-VT(