2005-2006《模拟电子技术》试卷A.docVIP

2005-2006学年第二学期 电气类《模拟电子技术》 课程 试卷A 试卷来源：闫 智 送卷人:闫 智 打印：闫 智 乔凤云 校对：闫 智 题 目 一 二 三 四 五 六 七 八 总 分 得 分 阅 卷 本题得分 阅卷签字 一、单选题（每小题3分，共30分） 1．稳压二极管正常稳压时，应工作在（　　　）。 　　Ａ．正向导通状态 Ｂ．反向击穿状态 　　Ｃ．正向截止状态 Ｄ．反向未击穿状态 2．下列关于场效应管叙述正确的是（　　　）。 　　Ａ．JFET属于增强型FET Ｂ．N沟道FET的多数载流子是空穴 　　Ｃ．FET是单极型电压控制器件　　　Ｄ．P沟道FET的多数载流子是电子 3．电路如图所示，忽略不计，关于BJT正确的是（　　　）。 　　Ａ．工作在截止区　　　　Ｂ．工作在饱和区 　　Ｃ．工作在放大区　　　　Ｄ．工作在可变电阻区 4．多级放大电路的级数越多则（　　　）。 　　Ａ．总电压增益越大，通频带越窄　　Ｂ．总电压增益越大，通频带越宽 Ｃ．总电压增益越小，通频带越窄　　Ｄ．总电压增益越小，通频带越宽 5．测量放大电路中某三极管的各电极电位分别为9V、6V、6.2V，则此三极管为（　　　）。 　　Ａ．PNP型硅三极管 Ｂ．PNP型锗三极管　 Ｃ．NPN型硅三极管 Ｄ．NPN型锗三极管　 6．甲类放大电路的导通角（　　　）。 Ａ．等于180° Ｂ．大于180°