2001/3/8 2001/3/8 由於MOSFET的響應頻率受制於gate端的有效R和C的值,所以可以從一些技術手冊中的參數大概估算出MOSFET的最高工作頻率。阻抗部分主要取決於polysilicon-gate overlay結構中薄層的電阻值,該值大約是20歐姆。鑒於在技術手冊裡一般不會給出總的R的值,Ciss一般會給出:以最大值的方式表示,同時會以圖示的方式來反映出其與drian-to-source電壓的關系。 工作頻率(Operating Frequency) Ciss的值跟chip size有關;chip越大,Ciss值越大。由於MOSFET的輸入端的RC組合勢必會在driving circuit的作用下有一個charge和discharge的問題,而且由於容量的支配,較之於較小的chip,較大的chip開關速度較慢,因此,較大chip的MOSFET適合用在低頻的應用電路裡面。總而言之,絕大部分的的MOSFET最高使用頻率在1Mhz到10Mhz之間。 工作頻率(Operating Frequency) 輸出特性(Output Characteristics) MOSFET最常用的graphical data可能是輸出特性曲線或者是drain-to-source電流(Ids)與drain-to-
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