功率器件封装工艺解决课件.ppt

热阻的工艺控制 —测试筛选 晶体管的热阻测试原理： 在一定范围内pn结的正向压降Vbe 的变化与结温度的变化△T有近似线性的关系： △Vbe＝k△T 对于硅pn结，k约等于2，热阻的计算公式为： Rth＝△T/P 只需加一个稳定的功率，测量晶体管的△Vbe即可计算出晶体管的热阻 RT。 * 热阻测试筛选设备的优点 进行热阻测试筛选，我们用的是日本TESEC的△Vbe测试仪 。 * 热阻测试筛选设备的优点 △Vbe测试仪的性能参数及优点： 测试精度：0.1mV 脉冲时间精确度：1us 最高电压：200V 最大电流：20A 优点： 1.精度高，且精度高可达到0.1mV，重复性好。 2.筛选率高 * 热阻测试筛选设备的优点 优点2：筛选率高 如粘片有空洞，脉冲测试在很短功率脉冲内，由于热量来不及传导，有空洞的地方就会形成一个热点（即温度比粘结面其他地区高出很多的小区域）（如右图示 ）。 热点处温度高，Vbe将比其他地方的Vbe变化大。整个pn结的△Vbe将主要受热点处的△Vbe的影响，因此，有空洞的管子的△Vbe比正常管子的△Vbe要大很多。 * 我公司产品的热阻特点 通过测量△Vbe，再经过公式 Rth＝ △Vbe /KP