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一个不理解的现象
Investigation of the runaway beam instability in HT-7 WPI Team Dr X.L.Zou (Tore Supra) contact: czy1003@ipp.ac.cn Fast pitch angle scattering (FPAS) event during current decay phase in HT-7 FPAS in top-phase (1) FPAS in top-phase (2) Time trace of IR intensity during runaway discharge #84276 具备逃逸电子诊断： HXR阵列测量边界逃逸电子 红外相机测量芯部逃逸束 实验参数： 低密度欧姆放电，具体密度根据当时实验条件确定 时间约8小时 Thanks！ * FPAS（fast pitch angle scattering） ＃84276的红外斑图的时间以及空间分布演化 从SX阵列上反演的结果来看，等离子体芯部没有明显的磁岛。由于逃逸电子的能量高，它受静电涨落引起的输运几乎可以忽略，因此逃逸电子的输运主要受磁涨落的影响，即使是很小的磁涨落水平都可以严重影响逃逸电子的行为。在＃84276放电中，逃逸束在0.62s分裂为相邻的两个束，在0.65s的时候ECE辐射强度在小于1ms的时间内迅速增长到相对较强的水平。 这可能是等离子体芯部的磁涨落引起逃逸电子的约束和输运的变化，例如磁湍流的形成，从而使得逃逸束形成双岛的结构，并且发生了逃逸电子的FPAS过程。 逃逸束不稳定性的机制（丝化，snake） * * *
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