实验二十二霍尔效应测量磁场教程方案.docxVIP

云南大学物理实验教学中心实验报告课程名称：普通物理实验实验项目：实验二十二 用霍耳元件测磁场学生姓名：马晓娇学号：20131050137物理科学技术学院物理系2013级天文菁英班专业成绩指导老师：何俊 试验时间：2015年9月 17日13时 00 分至 18时 00分实验地点：物理科学技术学院实验类型：教学(演示□ 验证□ 综合□ 设计□)学生科研□课外开放□ 测试□其它□一、实验目的1.理解霍耳效应的物理意义。2.了解霍耳元件的实际应用。3.学会对半导体导电类型的判断方法，掌握测量半导体材料的霍耳系数和测量电磁铁磁感应强度的实验方法。二、实验原理1.霍耳效应当电流垂直于外磁场通过导体时，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴（在固体物理学中指共价键上流失一个电子，最后在共价键上留下空位的现象。即共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴）之间会产生电场，电场强度与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集，此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺