生电子_第三讲分解.pptVIP

《电子材料》第三讲 掺杂过程是完全可逆的 没有脱掺杂过程 只起到对离子的作用，不参与导电 掺杂剂在半导体中参与导电 掺杂量一般在百分之几到百分之几十之间 掺杂量极低（万分之几） 是一种氧化还原过程 本质是原子的替代 导电高分子中的掺杂 无机半导体中的掺杂 导电高分子的掺杂与无机半导体的掺杂的对比 共轭聚合物的掺杂及导电性（续） 共轭聚合物的掺杂与无机半导体掺杂不同，其掺杂浓度可以很高，最高可达每个链节0.1个掺杂剂分子。随掺杂量的增加，电导率可由半导体区增至金属区。 掺杂的方法可分为化学法和物理法两大类，前者有气相掺杂、液相掺杂、电化学掺杂、光引发掺杂等，后者有离子注入法等。 氧化还原掺杂 ：可通过化学或电化学手段来实现 。化学掺杂会受到磁场的影响 。遗憾的是目前为止还没有发现外加磁场对聚合物的室温电导率有明显的影响。 质子酸掺杂 ：一般通过化学反应来完成，近年发现也可通过光诱导施放质子的方法来完成。 还有掺杂—脱掺杂—再掺杂的反复处理方法，这种掺杂方法可以得到比一般方法更高的电导率和聚合物稳定性。 化学掺杂：最初发现导电聚乙炔就是通过化学掺杂实现的。化学掺杂包括P型掺杂和N型掺杂两种（下式中CP代表共轭聚合物）。 电化学掺杂：电化学掺杂是通过电化学反应实现导电聚合物的掺杂。许多共轭聚合物在高电位区可发生电化学P型掺杂／脱掺杂(氧化／再还原)过程，在低电位区又可发