CIS以及CIGS太阳能电池板.ppt

CIS以及CIGS太阳电池 一、铜铟镓硒太阳电池概况 两类：铜铟硒三元化合物，Copper Indium Diselenide, CIS， 铜铟镓硒四元化合物，Copper Indium Gallium Diselenide, CIGS。 CIS, CIGS电池吸光范围广，户外环境稳定性好，材料成本低，转化效率高，又一具有发展潜力的薄膜电池。 标准环境测试，转换效率20%，聚光系统30%，柔性大面积塑料基板15%。 CIGS具有较好的抗辐射性，具有太空应用的潜力。 CIS起源1970年贝尔实验室：P-CIS晶片沉积n-CdS，12% CIS电池特点 　　CIS 太阳电池有转换效率高、制造成本低、电池性能稳定三大突出的特点。 　　转换效率高 　　CIS薄膜的禁带宽度为1.04eV，通过掺入适量的Ga以替代部分In，成为Cu In1-xGaxSe2 (简称CIGS) 混溶晶体，薄膜的禁带宽度可在1.04～1.7 eV 范围内调整，这就为太阳电池最佳带隙的优化提供了新的途径。所以, C IS (CIGS)是高效薄膜太阳电池的最有前途的光伏材料。美国NREL 使用三步沉积法制作的C IGS 太阳能电池的最高转换效率为20.5%，是薄膜太阳电池的世界纪录。 　　制造成本低 　　吸收层薄膜CuInSe2是一种直接带隙材料，光吸收率高达105量级，最适于太阳电池薄膜化，电池厚度可以做到2～3微米，降低了昂贵的材料消耗。C IS 电池年产1.5MW，其成本是晶体硅太阳电池的1/ 2～1/3，能量偿还时间在一年之内，远远低于晶体硅太阳电池。 　　电池性能稳定 　　美国波音航空公司曾经制备91cm2的CIS 组件，转换效率为6.5%。100MW/cm2光照7900 h 后发现电池效率没有任何衰减，西门子公司制备的CIS电池组件在美国国家可再生能源实验室(NREL ) 室外测试设备上，经受7年的考验仍然显示着原有的性能。 二、铜铟镓硒材料特性 CuInSe2及CuGaSe2室温下具有黄铜矿的正方晶系结构，晶格常数比c/a=2；800℃高温出现立方结构（闪锌矿，ZnS）。 CIS相图：位于Cu2Se和In2Se3 CIS为Cu2Se和In2Se3固溶体，相图位置狭窄，薄膜成长温度500 ℃以上 单一相获得：精确浓度控制。 CIS可与CuGaSe2任意比例混合形成CuIn1-xGaxSe2 CuIn1-xGaxSe2容许较宽成分变化，但光电特性改变不明显。 CuIn1-xGaxSe2电池可在Cu/(In+Ga)=0.7-1比例制造。 CIS吸光系数较高（105/cm），1微米材料可吸收99%太阳光 CIS直接能隙半导体，1.02eV，-2X10-4eV/K CuIn1-xGaxSe2能隙计算：Eg=1.02+0.626x-0.167（1-x） 电性： 富铜CIS具有P型特征 富铟CIS可P或N型特征 高压硒环境下热处理，P型特征变为N性特征；低压硒热处理，N型变P型 In性质 铟（49）是银白色并略带淡蓝色的金属 ，熔点156.61℃，沸点2080℃，密度7.3克／厘米3（20℃）。很软，能用指甲刻痕，比铅的硬度还低。铟的可塑性强，有延展性 易溶于酸或碱；不能分解于水；在空气中很稳定 铟在地壳中的分布量比较小，又很分散，稀有金属。 电子计算机（InSb），电子，光电，国防军事，航空航天，核工业，现代信息技术 Se性质 Se（34）一种非金属，可以用作光敏材料、电解锰行业催化剂、动物体必需的营养元素和植物有益的营养元素等。 光敏材料：油漆、搪瓷、玻璃和墨水中的颜色、塑料。光电池、整流器、光学仪器、光度计等。硒在电子工业中可用作光电管，在电视和无线电传真等方面也使用硒。硒能使玻璃着色或脱色，高质量的信号用透镜玻璃中含2％硒，含硒的平板玻璃用作太阳能的热传输板和激光器窗口红外过滤器。 Ga性质 镓（31）是银白色金属。密度5.904克/厘米3，熔点29.78℃，沸点2403℃ 在空气中表现稳定。加热可溶于酸和碱；与沸水反应剧烈，但在室温时仅与水略有反应 。高温时能与大多数金属作用 镓用来制作光学玻璃、真空管、半导体的原料 高纯镓电子工业和通讯领域，是制取各种镓化合物半导体的原料，硅、锗半导体的掺杂剂，核反应堆的热交换介质 CIGS的晶体结构 CIGS的电学性质及主要缺陷 CIGS的光学性质及带隙 CIS材料是直接带隙材料，电子亲和势为4.58eV，300K时Eg=1.04eV，其带隙对温度的变化不敏感，具有高达6xl05cm-1的吸收系数.黄铜矿系合金Cu(In,Ga,Al)Se2,其带隙在1.02eV-2.7eV范围变化，