10级电子技术试卷A卷.docVIP

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10级电子技术试卷A卷

大连工人大学2011— 2012 学年第一学期 期 末 考 试 10级机械专业 《电子技术》试 卷 (本试卷共2页5道大题) 题 号 一 二 三 四 五 期末 平时 总分 得 分 得 分 一、填空题 本大题共10小题,每空2分,共20分 不写解答过程,将正确的答案写在每小题的空格内。错填或不填均无分。 1、在纯净半导体中,掺入三价元素,就会形成 型半导体,如掺入五价元素,就会形成 型半导体。 2、点接触型二极管适用于 ,而面接触型二极管适用于 。 3、由直流负载所获得电压波形,可分为 整流电路和 整流电路。 4、单相桥式整流电路,输出侧直流电压是交流电压有效值的 倍。 5、半导体中的空穴电流是由于 递补 而产生的。 6、在单相半波整流电路中,若交流电压为10伏,输出的直流电压约为 伏,二极管承受的最高反向电压约为 伏。 7、由NPN三极管组成的放大电路中,输出电压波形的正半周失真,则产生了 失真,它的静态工作点位置 。 8、如果NPN三极管放大电路的输出电压波形负半周失真,产生 失真,它的静态工作点 。 9、若某放大电路中三极管的三个管脚电位分别为7伏、3.6伏、3伏,则三个管脚分别为 极、 极和 极。 10、在交流放大电路中,输出电压与输入电压的相位 ,所以也可称单管放大电路为 器。 得 分 二、判断题(在下列题后括号中,正确的打√,错误的打×。) (本大题共10小题。每题2分,共20分) 1、硅二极管的正向压降比锗二极管的压降大。  2、NPN、PNP二种结构形式的三极管,它们对电源的极性要求相反,因此它们各电极中的电流方向也不同。  3、简单稳压电路,就是在负载两端并联一个合适的硅稳压管。  4、交流负反馈虽然降低了电压放大倍数,但是它却可以改善放大电路的很多性能。 5、欲使三极管具有电流放大作用,则必须使发射结和集电结都正向偏置。 6、三极管不仅具有电流放大作用,还具有开关特性,即可处于截止或饱和状态。 7、当三极管的发射结和集电结都处于反向偏置时,三极管截止,相当于开关断开。 8、当交流放大电路输出电压波形的正半周失真,且测量三极管的UCE值很大,则产生了饱和失真。  9、晶体三极管由两个PN结组成,所以可以用两只二极管构成三极管。  10、减少放大电路的截止失真的办法,只能减小基极电阻RB,使静态工作点沿负载线上移到合适的位置。  得 分 三、单项选择题(本大题共10小题,每小题3分,共30分)在每小题列出的选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 1. :十进制数转换为二进制数为 ? 。A、0001 0010?? B、0010 0010C、0100 0001?? D、1101 1001 2、十进制数0.1011转换为二进制数为 。 A、0.0101?? B、0.75 C、0.8125 D、0.6875 3、 稳压二极管稳压时,其工作在反向击穿区,发光二极管发光时,其工作在。 .正向导通区 .反向截止区 .反向击穿区 在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。 A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管A.A.A. 。 A.?U2 B. Uo 0.45U2?? C.Uo U2 D. Uo 2?U2 9、 在晶体三极管的输出特性曲线中,当Ib减小时,它对应的输出特性曲线 。 A.向下平移 B.向上平移 C. 向左平移 D.向右平移 10、要将交流电转换为直流电,应采用的方法是 。 A.,RC 3 K Ube 0.7v β 50 试求该放大电路的静态工作点Q。 答案 填空 1、P N 2、高频检波 低频整流 3、半波 全波 4、、0.9 5、束缚电子 空穴 6、、4.5 14.1 7、截止 过低或接近截止区 8、饱和 过高或接近饱和区 ?9、集电 基 发射 10、相反 反相 判断题 1、v 2、v 3、x 4、v 5、x 6、v 7 v 8 x 9 x 10 v 三、选择题 1、D 2、A 3、C 4、A 5、C 6、C 7、A 8、B 9、A 10、C 四、简答 1答:为保证传输信号不失真地输入到放大器中得到放大,必须在放大电路中设置静态工作点。 2答:硅稳压管的正常工作范围,是在它的伏安特性上的反向击穿区域,当稳压管在击穿区时,电流在很大范围内变化,而稳压管两端的电压基本不变,达到“稳压”的目的。 五、计算 1解:∵IB 10μA 10×10-3mA,IC 1mA ∴β IC / IB

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