P型氧化锌薄膜制备其电导率研究.docxVIP

p型氧化锌薄膜制备及其导电率研究 摘要：总数了近年来p型氧化锌薄膜制备的研究现状，介绍了单元素和双元素掺杂以及其采用的主要方法，这些方法包括热蒸发法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、低温水解法、离子束增强沉积法、脉冲激光沉积法和磁控溅射法等。探讨了掺杂后产生的在光电磁方面的新特性。对p型氧化锌薄膜未来的发展进行了分析和预测，制备稳定、低电阻率和高载流子浓度的p型氧化锌薄膜将是今后研究的重点。 关键词：氧化锌；p型掺杂；低电阻率 0 引言 ZnO是一种新型的宽禁带氧化物半导体材料，具有压电、热电、气敏、光电等多种性能。早期对氧化锌材料的研究主要集中在透明点击、气敏和压敏传感器以及变阻器等领域，因此关于ZnO作为一种新型半导体光电材料的研究仍是一个十分前沿的课题。[1] ZnO在室温下具有宽带隙能3.37eV，大激子结合能60meV以及高光增益320cm-1等特点，使其成为了一种广泛应用于短波光电器件中的半导体材料，例如紫外和蓝光发光二极管以及LDs等，合成高质量的n型和p型ZnO是提高其在光电器件中应用前景的关键步骤。 纯ZnO为本征n型半导体，存在着六种形态的本征施主缺陷：锌空位VZn、氧空位VO、间隙锌Zni、间隙氧Oi、反位锌ZnO、反位氧OZn，对守住掺杂产生高度自补偿租用，还有深受主能级和掺杂元素的固浓度低等原因，掺杂后基本都是n型导电，难以实现p型导电，从而限制了ZnO在光电器