模拟电子技术基础_02半导体器件基础.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 沟道最宽但电流为零 沟道变窄 * * 沟道预夹断 沟道夹断 * * * * (2-28) * * 3 结型场效应管的特性曲线 1．输出特性曲线 (2-29) 图2-46(a)所示N沟道JFET的输出特性曲线。 * * 1)可变电阻区 4)截止区 转移特性 3)击穿区 2)放大区 * * * * * * 2．转移特性曲线 (2-30) (2-31) * * 2.6.2 绝缘栅场效应管(IG-FET) * * 2.6.2.1 N沟道增强型MOSFET 1 N沟道增强型MOSFET的结构 绝缘层 衬底 铝电极 * * 在一块掺杂浓度较低的P型半导体材料(衬底)上，利用扩散工艺在衬底上形成两个高掺杂浓度的N型区域(用N+表示)，并在此N区域上引出两个接触电极(铝电极)，分别称为源极(S)和漏极(D)，两个电极之间的衬底表面覆盖一层二氧化硅(SiO2)绝缘层，该绝缘层上再沉积金属铝层并引出电极作为栅极(G)，从衬底引出的电极称为衬底电极(B)，通常将衬底电极和栅极连接在一起使用。 * * 2 N沟道增强型MOSFET的工作原理 * * 反型层导电沟道 无反型层导电沟道 * * 导电沟道发生变化 导电沟道夹断 * * * * * * 3 N沟道增强型MOSFET的特性曲线 N沟道增强型MOSFET的特性曲线也分为输出特性和转移特性，如图2-49所示。 图2-49(b)为N沟道增强型MOSFET的输出特性曲线，输出特性同样分为可变电阻区、放大区(饱和区)、击穿区和截止区。 * * (2-32) 是 时的漏极电流 * * 2.6.2.2 N沟道耗尽型MOSFET N沟道耗尽型MOSFET的结构示意图如图2-50(a)所示。耗尽型MOSFET 的符号如图2-50(b)所示。N沟道耗尽型MOSFET的结构与增强型MOSFET结构相似，不同之处在于N沟道耗尽型MOSFET在制造过程中在栅源之间的SiO2中注入一些离子(图中2-50中用“＋”表示)，使漏源之间的导电沟道在 时导电沟道就已经存在了，这一沟道称为初始沟道。 * * “＋”离子 导电沟道 * * (2- 34) * * * * 2.6.3 双栅场效应管(DG FET) 双栅 MOS 场效应管有两个栅极，其结构示意图如图2-49所示。由于双栅MOSFET具有上、下两个栅，增强了对沟道的控制能力。对于厚膜双栅MOSFET, 硅膜在正面、背面栅压作用下的最大反型区域小于硅膜厚度, 即两个反型沟道相对独立, 而硅膜的中间部分没有反型, 没有电流通道。在这种状况下, 双栅MOSFET 相当于两个普通硅MOSFET 的简单并联。在线性区, 其漏源间电流为 (2-35) * * * * 国产N沟道MOSFET的典型产品单栅管有3DO1、3DO2、3DO4等，双栅管有4DO1等。 * * 2.7 FET的主要参数 1．直流参数 1) 夹断电压 2) 开启电压 3) 饱和电流 4) 直流输入电阻 2. 交流参数 1) 低频跨导(互导) (2-38) (2-39) * * 对于增强型MOSFET，将式(2-33)代入(2-38)得到增强型MOSFET的跨导为 (2-40) 2) 输出电阻 (2-41) * * 3．极限参数 【例2-8】链接 * * 2.7.2 FET的特点 与双极型晶体三极管相比，场效应管有其明显的特点。 1) 场效应管是电压控制电流器件，其输入电阻很高，栅极电流几乎为零，适用于对信号源索取电流很小的放大电路中。在用晶体管特性测试仪测试FET时，栅极须采用电压激励，这一点有别于BJT的测试。 2) 场效应管为多数载流子导电，因而受环境温度、辐射等外界条件影响相对较小，在工作环境变化较大的应用场合，适宜采用场效应管。 3) 场效应管的噪声系数较晶体三极管小，所以场效应管适宜作低噪声放大器，在多级放大器中，常用场效应管作第一级放大器。 * * 2.7.4 MOS场效应晶体管使用注意事项 MOS场效应晶体管在使用时应注意其分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿，使用时应注意以下规则。 (1) MOS器件启用前通常由生产厂家将MOS器件装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便用其