毕业论文 Silvaco TCAD基CMOS器件仿真.docx

本科毕业论文(设计)题 目： Silvaco TCAD基CMOS器件仿真 学 院： 物理科学学院 专 业： 姓 名： 指导教师： 2014年 5 月 16 日青 岛 大 学毕业论文(设计)任务书 院 系: 物理科学学院 专 业: 微电子学 班 级: 学生姓名: 同组学生: 无 指导教师: 下发日期: 2014 年 3 月 15 日MOS场效应晶体管的结构与性能模拟研究摘要：本文主要介绍了N沟道增强型MOSFET的发展历程、基本结构和工作原理，定性的分析了导电沟道的形成过程和本质；简单介绍了silvaco TCAD的发展；以NMOS为例，描述了软件的主要组件、原理、仿真过程及仿真结果。通过对器件的特性的TCAD仿真，使我们深化了对器件在工艺和特性方面的物理研究。silvaco TCAD仿真软件可以有效缩短IC工艺和器件的开发周期，降低开发成本，体现出了TCAD对半导体器件的开发与优化具有重要的作用。关键词: MOSFET TCAD 工艺仿真 器件仿真 Abstract: This paper mainly introduces the development history, basic structure and working principle of N channel enhancement MOSFET. A qualitative analysis of the forming process and the nature of the conducting channel are pointed out. It introduces the development of SILVACO TCAD and, taking NMOS as an example, describes the main components, the principle of the software, the simulation process and simulation results. Through the simulation on device characteristics, and we deepen the physical study of process and properties of the devices. SILVACO TCAD simulation software can shorten the development cycle of IC process and device effectively, reduce the cost of development. TCAD plays an important role in development and optimization on semiconductor device.Keywords: MOSFET TCAD process simulation device simulation目录1 引言11.1 MOSFET的发展11.2 TCAD的发展32 MOSFET的基本构造及工作原理42.1 MOSFET的基本原理及构造42.2 MOSFET的基本工作原理52.3 MOSFET的特性93 TCAD工具的构成、仿真原理、仿真流程及仿真结果113.1 TCAD工具的结构与仿真原理113.2 用TCAD工具仿真NMOS的步骤113.3 TCAD工具的仿真结果154 结论16谢辞17参考文献19附录21正文：1 引言在当今时代，集成电路发展十分迅猛，其工艺的发杂度不断提高，开发新工艺面临着巨大的挑战。传统的开发新工艺的方法是工艺试验，而现在随着工艺开发的工序细化，流片周期变长，传统的方法已经不能适应现在的需要，这就需要寻找新的方法来解决这个问题。幸运的是随着计算机性能和计算机技术的发展，人们结合所学半导体理论与数值模拟技术，以计算机为平台进行工艺与器件性能的仿真。现如今仿真技术在工艺开发中已经取代了工艺试验的地位。采用TCAD仿真方式来完成新工艺新技术的开发，突破了标准工艺的限制，能够模拟寻找最合适的工艺来完成自己产品的设计。此外，TCAD仿真能够对器件各种性能之间存在的矛盾进行同时优化，能够在最短的时间内以最小的代价设计出性能符合要求的半导体器件。进行新工艺的开发，需要设计很多方面的内容，如：进行器件性能与结构的优化、对器件进行模型化、设计进行的工艺流程、提取器件模型的参数、制定设计规则等等。为了设计出质量高且价格低廉的工艺模块，要有一个整体的设计目标，以它为出发点将工艺开发过程的各个阶段进行联系，本着简单易造的准则，系统地进行设计的优化。TCAD支持器件设计、器件