第15章 半导体功率器件.pptVIP

三端双向可控硅开关元件 独立的栅极要为两个反向并联 闸流管服务，称为三端双向可 控硅开关元件，右图显示了这 种器件的交叉结构。它可以被 任意极性的栅控制信号以及任 意极性的阳极-阴极电压触发进 入导态。 带有特殊偏置组态的三端双向可控硅开关元件 一种特殊栅控情况如图，相对电极2， 电极1是正极，所以相对电极1，加了 一个负极性的栅电压，栅电流也是负 的。在这种电压极性下会产生电流I1, J4正偏。电子从n3发出，渡越p2，在 n1区被收集。于是n3p2n1就像饱和工 作状态下晶体管。n1区收集电子降低 n1区电势。贯穿p1n2电流会增加，从而 触发p2n1p1n4闸流管进入导通状态。 MOS栅控闸流管是基于控制npn双极晶体管的增益。若栅极电压为零，npn晶体管增益很低。当加正的栅压，p型基区表面耗尽，p型基区耗尽区与栅相邻。该npn双极器件未耗尽基区宽度w会变窄，器件增益增加。 3. MOS 栅控闸流管 当栅极电压大于阈值电压，n+发射区电子穿过耗尽区进入n型漂移区， 导致其电势下降，进一步正偏p+阳极与n型漂移结电压，产生正反馈。 导通栅电压大约是MOS器件阈电压。该器件优点是控制极输入阻抗高， 相关大电流能转换成很小容量的耦合栅电流 MOS关态闸流管 MOS关态闸流管可通过在MOS 栅极加上一个信号开启与关掉 阳极电流。加上正栅极电压时， n+pn双极晶体管能被开启。加 负栅极电压，器件就可关掉。 负栅极电压开启p沟道MOS晶体 管，有效短路n+pn双极晶体管 的B-E结。进入p型基区空穴通 过另一路径到达阴极。若P沟道 MOS晶体管电阻够低，所有电 流将从n+p发射极转移走，从而 关断n+pn器件。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 高等半导体物理与器件 高等半导体物理与器件 高等半导体物理与器件 高等半导体物理与器件 高等半导体物理与器件 高等半导体物理与器件 * 第15章 半导体功率器件 §15.5 功率MOSFET 15.5.1 功率晶体管的结构 15.5.2 功率MOSFET的特性 15.5.3 寄生双极晶体管 §15.6 半导体闸流管 15.6.1 半导体闸流管的基本特性 15.6.2 SCR的触发机理 15.6.3 SCR关断 15.6.4 器件结构 15.5 功率MOSFET 功率MOSFET的电流处理能力通常在安培数量级，漏源间夹断电压50-100V或更高范围之内。 功率MOSFET的优点是控制信号在栅极，栅极输入阻抗非常大。在开态（低阻态）与关态（高阻态）之间转换，栅电流很小，因此非常小的控制电流就可以转换成相对大的电流。 15.5.1 功率晶体管的结构 MOST沟道宽，能得到大电流。为达到大阈值电压，采用垂直结构。两种基本的功率MOSFET结构，第一种DMOS器件如图所示： 电子进入源区电极，横向从衬底下的反型层漂移至n型漂移区。然后电子垂直地从n 型漂移区漂移至漏区电极。 第二种VMOS是非平面结构 P衬底在整个表面形成，再进行源区扩散然后再通过延伸至n型漂移区做一个V型槽。栅氧化层生长在V型槽上，再镀金属栅极。在基区产生电子反型层。 HEXFET：一种功率MOSFET的结构，这种结构是由许多的MOSFET并行放置形成的六角形组态。 HEXFET有很高的集成度，每平方厘米有10万个。 15 .5.2 功率MOSFET的特性 1. 两种功率MOSFET的特性 参数 2N6757 2N6792 VDS（MAX）\V 150 400 ID（MAX）\A 8 2 PD\W 75 20 2. 导通电阻：功率MOSFET的漏源之间的有效电阻 源区欧姆接触电阻，沟道电阻，漏区欧姆接触电阻 MOSFET工作在线性区的沟道电阻 电流增大，温度升高，阈值电压随温度略微变化，迁移率减小，电阻增大，限制电流增大。这为功率MOSFET提供了稳定性。整个电流均匀分散到各个小单元中，避免器件损坏。 功率MOSFET比双极功率晶体管有更为出色的性能，其中包括：更