电子电路基础(模电)期末复习精读.ppt

　　载流子在浓度差作用下的运动称扩散运动，所形成的电流称扩散电流。 　　载流子在电场作用下的运动称漂移运动，由此形成的电流称漂移电流。 4. 半导体中的两种电流： 5. PN 结形成的物理过程 阻止多子扩散 出现内建电场 开始因浓度差 产生空间电荷区 引起多子扩散 利于少子漂移 最终达动态平衡 注意： PN 结处于动态平衡时，扩散电流与漂移电流相抵消，通过 PN 结的电流为零。 PN结的物理空间称为耗尽层、或空间电荷区、或势垒区。 空间电荷区产生电场 —— 内电场 内电场阻止多子的扩散 —— 阻挡层。 空间电荷区正负离子之间电位差 VB0 —— 电位壁垒。 室温时 锗管 VB0 ? 0.2 ~ 0.3 V 硅管 VB0 ? 0.5 ~ 0.7 V 6. PN结的一些术语： 7. PN 结——伏安特性方程式 热电压 ? 26 mV(室温) 其中： 　　IS 为反向饱和电流，其值与外加电压近似无关，但受温度影响很大。 正偏时： 反偏时： 8. PN 结——伏安特性曲线 ID(mA) V(V) VD(on) -IS Si Ge VD(on)= 0.7V IS=(10-9~10-16)A 硅PN结 VD(on)= 0.25V 锗PN结 IS=(10-6~10-8)A 温度每升高10℃，IS约增加一倍。 温度每升高1℃，VD(on)约减小2.5mV, 9. PN 结的电容特性