Array工艺原理及工程检查-DE.pptVIP

DE工程 1.TN型工艺流程（4Mask） 2.TN型平面及断面构造（15型） 2.TN型平面及断面构造（15型） 2.TN型平面及断面构造（15型） 2.TN型平面及断面构造（15型） 2.TN型平面及断面构造（15型） 2.TN型平面及断面构造（15型） 2.TN型平面及断面构造 DE工艺 一、DE工艺及装置 二、DE工程检查及不良 三、MSDS简介 反应气体在高频电场作用下发生等离子体放电。 等离子体与基板发生作用将没有被光刻胶掩蔽的非金属薄膜刻蚀掉。 PE ( Plasma Etching) RIE (Reactive Ion Etching) ICP (Inductive Couple Plasma) 二、DE工程检查及不良 设备管理项目 功率 气体流量 压强 冷却板温度 工艺管理项目 Particle AOI检 E/R Rate（刻蚀速度） Channel段差（量产抽检） DEC还有TOK检 TOK1特性管理（点分布） 2、DE工程不良介绍 点缺陷 薄明G线 三 阵列化学物品MSDS 3.1 MSDS介绍： MSDS是化学物品安全数据表（Material Safety Data Sheet)的缩写，国际上称作化学品安全信息卡。 a. MSDS是化学品生产商和进口商用来阐明化学品的理化特性（如PH值，闪点，易燃度，反应活性等）以及对使用者的健康（如致癌，致畸等）可能产生的危害的一份文件。 b. 是一份关于危险化学品的燃、爆性能，毒性和环境危害，以及安全使用、泄漏应急救护处置、主要理化参数、法律法规等方面信息的综合性文件。 c. 是传递化学品危害信息的重要文件。 3.2 MSDS的作用 提供有关化学品的危害信息，保护化学产品使用者 确保安全操作，为制订危险化学品安全操作规程提供技术信息 提供有助于紧急救助和事故应急处理的技术信息 指导化学品的安全生产、安全流通和安全使用 是化学品登记管理的重要基础和信息来源 3.3 MSDS数据项目解释及说明 标识：品名、化学式或构造式、 CAS号、区分等 理化性质：外观、气味、比重、分子量、蒸汽密度、沸点、熔点等 危险、有害性：引火点、着火点、爆炸限界、发火性、氧化性、刺激性、毒性等 使用与存放：使用与存放时的注意事项 3.3 MSDS数据项目解释及说明 暴露防止措施：该化学品暴露在空气中时的允许浓度及须采取的必要保护措施。 应急措施：当该化学品接触人体时采取的急救措施。 泄漏、火灾时措施：发生泄漏、火灾等情况时采取的措施。 点缺陷： ＣＨ‐ＤＥ工程 particle 正常部 ＣＨ-ＤＥ前 ＣＨ-ＤＥ后 ＴＦＴ完了后 黑白灰度画面：白色G线，画面中部较明显，两侧几乎看不见 TN型 薄明G线 P检画面1 黑白灰度画面：白色G线，画面中部较明显 TN型 薄明G线 P检画面2 薄明G线： ＤＥC工程 发生原因及相关工程： DEC刻蚀时接触电阻过大——产生原因： ① DEC刻蚀过量 ② DEC刻蚀形状较差 改善前 改善后 GSP GPR GWE GPR剥离 1st SiN CVD 三层CVD DSP DIPR D1WE I/PR DE D2WE CHDE DIPR剥离 PACVD CPR CDE CPR剥离 PISP PIPR PIWE PIPR剥离 TN型工艺流程(4 MASK) 像素部 G端子 G保护回路 D端子 D保护回路 GPR后 GWE后 G剥离后 三层CVD后 G工程结束 15型平面构造 DSP后 DPR后 D1WE后 I/PR DE后 15型平面构造 D2WE后 CHDE后 D/I剥离后 PA-CVD后 D/I工程结束 15型平面构造 C-PR后 C剥离后 PI-SP后 PI-PR后 C工程结束 15型平面构造 PI剥离后 PI工程结束 15型平面构造 15型断面构造 Gate线 G绝缘层 a-Si n+ a-Si Drain线 SOURCE PA保护层 ITO像素电极 接触孔 像素 A A’ A A’ 玻璃基板 一、DE工艺及装置 1、Dry Etching目的 2、Dry Etching原理概述 3、Dry Etching方式 4、Dry Etching装置 1、DE目的 成膜工程（ＳＰ 、ＣＶＤ） ＰＲ剥离 ＰＲ工程 刻蚀工程（ＤＥ 、 ＷＥ） ETCHING GAS PLASMA 2、DE原理概述： 基板 e- e- + + Plasma R DE装置采用RF高频电源来产生交变电场。真空中电子在电场作用下加速，与气体分子碰撞便产生了Plasma RF放电概要 e- + ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － － Blocking condenser Plasma