第5章晶体管功率特性.pptVIP

电子器件基础 晶体管功率特性 如在 JC = Jcr 时，靠集电结(PN)处电场下降到0 (⑤)。 当 JC Jcr 时，负电荷区边界随注入增加向N区收缩，原集电区的一部分变成了基区，使有效基区宽度增加为Wb+△Wb，发生基区扩展⑥。 + N+ P N+ Wc Wb N _ E x △Wb 0 ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ Wc 电子器件基础 晶体管功率特性 2 基区扩展 E x △Wb 0 Jcr JC Jcr P N N+ Wc 强场下基区扩展 则： 时 场强大于ES=104V/cm，载流子以极限饱和漂移速度 υS 运动。 电子器件基础 晶体管功率特性 E x △Wb 0 Jcr JC Jcr P N N+ Wc 对集电结势垒区从0—WC积分，电压为VD+VCB不变，得： 由： 基区扩展效应的临界电流密度： （一般主要由集电区掺杂浓度NC决定） 电子器件基础 晶体管功率特性 当 JC Jcr 时发生基区扩展，负电荷区边界收缩到△Wb 处，E(△Wb ) = 0，此时有： 可求出基区扩展宽度为： 总有效基区宽度： 电子器件基础 晶体管功率特性 弱场下基区扩展 ，载流子运动速度 υ υS ， 场强 当 JC Jcr 时基区扩展△Wb 弱场下Jcr更小，更容易产生基区扩展效应。 电子器件基础 晶体管功率特性 基区扩展对晶体管特性的影响 n x Wb +△Wb 0 nb(x) P N N+ Wb ne nc Qb 晶体管放大工作，大注入时，发射区注入基区大量的电子； 基区积累电子电荷Qb， 发射结边界电子浓度ne，集电结边界电子浓度nc。 电子器件基础 晶体管功率特性 基区积累电子电荷的总量Qb为四边形的面积， 如：InE ≈ IC α=γβ*≈β* 电子渡越基区的时间： n x Wb +△Wb 0 nb(x) P N N+ Wb ne nc Qb 电子器件基础 晶体管功率特性 nC ↑→△Wb ↑→ τb↑ → fT↓ → α ↓、β↓ 电子器件基础 晶体管功率特性 第3节 发射极电流集边效应 晶体管流过大电流时， 基极电流也较大； 由于基区存在电阻，基 极电流横向流过基区时 产生压降——自偏压； 发射结各处的正偏电压 不一致，发射极中心的基区电位降低，发射结注入电流分布不均匀； 电流在发射极边缘处较大——发射极电流集边效应。 N P N+ N+ e b b Se IB/2 IB/2 LE 电子器件基础 晶体管功率特性 1 基区横向压降 双基极晶体管，发射区中心为 y 坐标的 0 点，沿 y方向发射极电流分布为： 而： N P N+ N+ e b b 0 y Se/2 x IB/2 IB/2 Wb dy 电子器件基础 晶体管功率特性 基区平均电阻率为ρb，基区小体积元的电阻： 基区薄层电阻： R□b= ρb/Wb N P N+ N+ e b b 0 y Se/2 x IB/2 IB/2 Wb dy 小体积元的横向压降： 电子器件基础 晶体管功率特性 是V(y)的二阶线性非齐次微分方程，边界条件为： 注入电流 JE(0)大，基区电阻R□b大，条宽Se大(y大)，则基区横向压降V(y)大，发射极电流集边效应严重。 电子器件基础 晶体管功率特性 2 发射极有效条宽 减小基区横向压降和电流集边效应，要减小Se。 规定：基区横向压降变化KT/q(室温下0.026V)时的发射极 条宽为有效条宽Seff ，即V (Seff ) = KT/q， 发射极边缘处电流：JEP=JE(Seff )=e JE(0)=2.718 JE(0) 电子器件基础 晶体管功率特性 3 发射极单位周长电流容量 双基极结构晶体管发射极总电流： 电子器件基础 晶体管功率特性 一般工程上经验选择： 线性放大晶体管： I0 0.05mA/um 一般放大晶体管： I0 = 0.05～0.15mA/um 开关晶体管： I0 0.4mA/um 发射极单位周长电流容量为： fT = β · f ，随频率升高， β 下降，I0 减小。 电子器件基础 晶体管功率特性 4 发射极金属条长 N SM N+ e b b LM P dM 大电流流过发射极，在金属电极上形成压降，产生自偏压效应，使发射结偏压在条长方向分布不均匀，造成电流集中。 金属电极平均电阻： 发射极个数n，总发射极电流IE，金属电阻上的压降限制在KT/q内，即：RM IE / n ≤KT/q， 发射极有效条长： 电子器件基础 晶体管功率