霍尔传感器——姜尚资料.pptVIP

霍尔传感器的检测原理及其主要应用 答辩人：张二宝 同组人：翁江林 白玉飞 张二宝 杨军 王云鹏 概述 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。1879年美国物理学霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应。 霍尔传感器是基于霍尔效应将被测量（如电流、磁场、位移、压力、压差、转速等）转换成电动势输出的传感器。 霍尔式传感器结构简单、体积小、坚固、频率响应宽、动态范围大、非接触、使用寿命长、可靠性高、易于微型化和集成化。在测量技术、自动化技术和信息处理得到了广泛的应用。 现象 —— 霍尔效应 在长方形导体薄板上通以电流，沿电流的垂直方向施加磁场，就会在与电流和磁场两者垂直的方向上产生电势差，这种现象称为霍尔效应，所产生的电势差称为霍尔电压。 理论分析 磁场中运动载流子受洛伦兹力作用 电荷聚集形成电场 电场力与洛伦兹力达到平衡，形成稳定电压UH mA - B mV 又考虑到(n为载流子浓度) 即： KH=1/(nqd)称为霍尔元件的灵敏度. IS为流过霍尔元件的电流，即其工作电流. 1：最大磁感应强度B2:额定激励电流3：输入，输出电阻4：不等位电动势5：寄生直流电动势6：热电阻 精度指标分析 检测磁场，电场 原理 在一定的工作电流I下，霍尔电压U与外磁场磁感应强度B成正比。这就是霍尔效应检测磁场的原理。 在一定的外磁场中，霍尔电压U与通过霍尔片的电流强度I（工作电流）成正比。这就霍尔效应检测电流的原理。 基本测试电路 基本测试电路 磁场举例说明 如果保持霍尔元件的电流I不变而使其在一均匀梯度的磁场中移动时，则输出的霍尔电势差变化量为 上式中 为位移量， 为常数时， 与 成正比。 霍尔传感器副效应——不等位电势U0 不等位电势示意图 U0 r4 r2 r3 r1 霍尔元件的等效电路 精度误差分析 根据前面对霍尔效应的副效应——不等位电势的介绍，这里采用电桥平衡网络的作用是：消除不等位电势的影响，即使U =0。 技术应用 霍尔式微压力测量仪 角位移测量机构 霍尔接近开关 霍尔特斯拉计（高斯计） 霍尔转速表 霍尔式无接触汽车电子点火装置 霍尔式无刷电动机 霍尔式电流传感器 霍尔式压力传感器 霍尔钳形电流表 1：微型化 2：高集成度 3：温度性能 4：高灵敏度 5：新型霍尔元件结构 发展趋势 特点（与普通互感器相比） 霍尔传感器可以测量任意波形的电流和电压 精度高，线性度好，动态性能好 工作频带宽，测量范围大，过载能力强 模块尺寸小，重量轻，易于安装 高灵敏度，高可靠性，高抗干扰性 谢谢老师 RH=PU(数学符号)霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率与电子迁移率μ的乘积。若要霍尔效应强, 则RH值大, 因此要求霍尔片材料有较大的电阻率和载流子迁移率。 一般金属材料载流子迁移率很高, 但电阻率很小; 而绝缘材料电阻率极高, 但载流子迁移率极低。故只有半导体材料适于制造霍尔片。 RH=PU(数学符号)霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率与电子迁移率μ的乘积。若要霍尔效应强, 则RH值大, 因此要求霍尔片材料有较大的电阻率和载流子迁移率。 一般金属材料载流子迁移率很高, 但电阻率很小; 而绝缘材料电阻率极高, 但载流子迁移率极低。故只有半导体材料适于制造霍尔片。