离子注入下.ppt

* 第三章 离子注入 (下篇) ■ 概述 ■ 离子注入工艺设备及其原理 ■ 射程与入射离子的分布 ■ 实际的入射离子分布问题 ■ 注入损伤与退火 ■ 离子注入工艺的优势与限制 离子注入(Ion lmplantation) 参考资料： 《微电子制造科学原理与工程技术》第5章离子注入 (电子讲稿中出现的图号是该书中的图号) ■ 沟道效应 ■ 横向分布 ■ 复合靶注入 四、实际的入射离子分布问题 2、注入离子的横向分布 ■ 横向离散是离子在靶中行 进的重要效应之一。 ■ 当透过厚掩膜(掩膜厚度 Rp+△Rp)窗口进行注 入时，窗口边缘附近的离 子浓度服从余误差分布。 假设窗口宽度为2a， 当 时，有 窗口边缘处浓度为同等深度窗口 中心部位浓度的1／2。 横向效应示意图 ■ 注入离子的横向分布对于自对准源漏注入工艺是一个基 本限制因素。 决定器件的电学沟道长度 3、复合(双层)靶注入的分布 ■ 离子在两层靶中均为高斯分布 ■ 原子量M1靶：Rp1，?Rp1，dRp1 ■ 原子量M2靶：Rp2， ? Rp2 （1）M2靶中峰值浓度距表面距离 是离子在M1中未走完的射程百分数，乘以Rp2即为折合到M2中离子到达峰值还需走的距离 （2）界面(d)处浓度为： M1靶一侧 M2靶一侧 注意：此时离子浓度