第二讲交变电场下电介质的损耗资料.pptVIP

第二讲交变电场下电介质的损耗资料.ppt

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这里引入ω’是为了不要产生误解而认为sinω’x成了cosωx的复合函数,因为要先单独对含ω’的函数积分,此处ω’称为积分虚变量,避免了与ω变量混淆。 式(2--66)中方括号里的积分为 2-67 于是 2-68 按同样步骤解联立方程(2-60)和(2-63),得出 2-69 式(2-68)和式(2-69)即构成Kramers—Kr?nig关系式,这个关系式有时亦称为Kramers—Kr?nig色散公式,它们对任何衰减函数都是成立的,而且只要在全频谱范围测量出介电常数或损耗因子中任意一个频谱就可以得到另一个频谱。 特殊地,如果设式(3—68)中ω=0,则可求出静态相对介电常数为 或 2-70 上式表明:在εr’’对logω的关系图中,曲线下面所包括的总面积,与介电常数的极值有关,而与色散机理无关。 2.5 德拜方程 上一节导出的Kramers—Kr?nig色散公式,虽然表明了复介电常数与频率的相关性,但由于式中包含了未确定的衰减函数(或称弛豫函数)φ(t),不能具体计算并讨论复介电常数与频率的关系。要解决这一问题,关键在于给出弛豫函数的具体表达式,但这是一项很困难的任务,因为φ(t)与物质成分、结构以及环境温度等因素有关,不易找到能应用于各种场合下的弛豫函数的通用表达式。 德拜(Debye)在“Polar Molecules”著作中,首先提出并建立了复介电常数与频率的关系式,这种关系式是针对极性液体和固体介质以及其它情形提出来的。 对弛豫函数作了简化,假设为 : 2-71 将此式代入式(2—61)和式(2—62), 由积分表 应当指出的是,在一般的电介质物理教科书中,或在实际工程应用中,介质损耗通常都是用介质损耗角的正切(tangent of dielectric loss angle)tgδ来表示的,因此研究介质损耗的重点, 就自然地集中于能表征电介质在交变电场中损耗特性的参数tgδ上,并且我们注意到用tgδ值来研究电介质的损耗,还具有如下两个明显的优点,即: tgδ值可以和介电常数ε同时直接测量得到,且一般只需要采用通用的电桥法和谐振法测量。 (2) tgδ值与测量试样大小与形状均无关,为电介质自身属性,并且在许多情形下,tgδ值比ε值对介质特性的改变敏感得多。 在D与E之间形成相位差而引起的介质损耗的机构,主要有以下三种: 1.电介质不是理想绝缘体,不可避免地存在漏电导,要产生漏导损耗。如前所述,由这种损耗机构决定的tgδ值为 tgδ=G/ωC。 考虑到平行平板电容器的情形,介质的漏电导G=γs/d,电容量C=8.85×10-12εrs/d,而角频率ω=2πf,于是有 2-41 2.电介质中发生的慢极化(例如, 与热运动密切有关的热离子极化及热转向极化等),由于其建立时间较长(约l 0-4~10-9秒),当电场变化频率超过一定限度时,这些慢极化来不及建立而产生极化滞后现象,亦即介质的极化强度P滞后于电场强度E,此时将消耗一部分能量,形成介质损耗。这部分由慢极化产生的介质损耗是电介质在交变电场中使用时产生的介质损耗的主要部分,且有着自身的特殊规律。 如式(2-41)所示,由漏导引起的介质损耗tgδ与频率f成反比关系,即:随电场频率f的增高,tgδ成倒数关系下降,见图2-3。按图示变化规律,电介质不会出现高频下发热严重的问题。 电导在电介质中引起的介质损耗w(即图中P) 和tgδ与电场频率的关系 图2-4 但是,事实上,当电场频率增高时,电介质的tgδ并非经常满足这种关系,而可能在一定频率下,tgδ非但不减小反而增大,且可能出现最大值,这种反常现象常称为“反常分散”现象,见图2-4。为了便于全面比较,图中同时画出了P=f(ω)曲线。“反常分散”现象的出现,正是由于某些慢极化所致。 慢极化引起的介质损耗w(即图中P)和tgδ与电场频率的关系 图2-4 3. 原子、离子或电子的振动所产生的共振效应。这种效应产生在红外到紫外的光频范围内。按照古典场论的观点,光是一种电磁波,它在介质中传播的相速及介质的折射率n均依赖于频率.n随频率而变化的现象,正如前面所述即为色散现象,根据电磁场理论,可以证明色散的存在同时将伴随有能量的耗散,色散总是同时存在吸收(absorption)。 内层电子具有1019Hz数量级的临界频率(X射线范围),高于1019(或波长小于1?)的电磁场不可能在原子内激励起任何振动,故材料不出现极化效应,此时,εr=εo;若频率低于内层电子的共振频率,则这些电子受到电磁场的电分量的作用,将随电磁场而振动,从而使材料极化,

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