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太阳能电池培训 ---工艺组 电池结构 材料的选择 The most important parameters of a semiconductor material for solar cell operation are: 1. the band gap; 2. the number of free carriers available for conduction; 3. the generation and recombination of free carriers in response to light shining on the material. 影响因素 Band Gap=1.1242 eV 影响因素 Intrinsic carrier concentration in a semiconductor at two temperatures. Note that in both cases, the number of electrons and the number of holes is equal. 影响因素 Equilibrium Carrier Concentration 影响因素 Absorption of Light 1.Eph EG Photons with energy Eph less than the band gap energy EG interact only weakly with the semiconductor, passing through it as if it were transparent. 2.Eph = EG have just enough energy to create an electron hole pair and are efficiently absorbed. 3。Eph EG Photons with energy much greater than the band gap are strongly absorbed 影响因素 Absorption of Light 影响因素 Absorption Depth 影响因素 Recombination 1.Radiative recombination 影响因素 Recombination 2.Recombination Through Defect Levels 影响因素 Recombination 2. Auger Recombination 生产流程 制绒 制绒的三个目的 1）去除表面机械损伤层（硅锭切割的时候的物理损伤） 2）在前清洗中的酸洗中，HF酸和HCL的作用分别为清除表面氧化物和清除表面金属离子。 3） 减少光的反射率，提高短路电流（Isc），最终提高电池的光电转换效率（表面织构化，陷光原理）。 制绒 陷光原理：当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。 制绒 制绒药液一 制绒 2）制绒反应 3Si+4HNO3=3SiO2+2H2O+4NO↑ SiO2+6HF→H2[SiF6]+2H2↑ 制绒 制绒药液二 Si + 2NaOH + H2O → Na2SiO3 + 2H2 Si + HNO3 + 6HF → H2SiF6 + HNO2 + H2O + H2 扩散 扩散概述 太阳能电池的心脏是一个PN结。PN结是不能简单地用两块不同类型（p型和n型）的半导体接触在一起就能形成的。要制造一个PN结，必须使一块完整的半导体晶体的一部分是P型区域，另一部分是N型区域。也就是在晶体内部实现P型和N型半导体的接触。 扩散的目的：形成PN结 扩散 制作太阳电池的硅片是P型的，也就是说在制造硅片时，已经掺进了一定量的硼元素，使之成为P型的硅片。 高温下在石英管内通入磷源蒸汽(通源),在硅片周围包围着许许多多的磷的分子，因此磷原子能从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散。在有磷渗透的一面就形成了N型. 扩散 扩散 POCl3液态源扩散方法具有生产效率较高，得到PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点，这对于制作具有大面积结的太阳电池是非常重要的。 在太阳电池扩散工艺中，扩散层薄层电阻（方块电阻）是反映扩散层 质量是否符合设计要求的重要工艺指标之一。 方块电阻也是标志进入半导体中的杂质总量的一个重要参数。 刻蚀和去PSG（后清洗） 刻蚀和去PSG（后清洗） 去磷硅玻璃主要反应方程式 SiO2 + 6HF = H2SiF6 + 2H2O PECVD 1.定义： PECVD: Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition