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黎 明 职 业 大 学 LED光色电综合性能测试实验指导书 班 级：——————————— 学 号：——————————— 姓 名：——————————— 实验机型：——————————— 实验时间：——————————— 目录 一． 总论 3 二． 电特性参数 4 三． 光度参数 5 四． 色度参数 7 五． 热学参数 10 六． 红外LED 10 七、分光机的分BIN测试（选做） 31 附表1：CIE 1931色品图 32 附表2：测试标准 33 总论 【实验目的】 1、通过测量实验，全面的理解LED的光色热电综合性能； 2、理解单色光、白光LED光色电参数性能测试； 3、理解CIE1931标准色品图。 4、对LED的系统性能做准确的评估； 【实验内容】 SSP6612实验内容 序号 项目 1 ◆正向电压和正向电流的测试（闸流体测试） 2 ◆正向电流和光强，光通量的关系 3 ◆反向电压和反向漏流的关系 4 ◆瞬态光衰 5 ◆光强和角度的测试 6 ◆光通量的测试 7 ◆光谱的色参数测试 8 ◆热性能测试 9 ◆红外LED性能测试 10 ◆分光机的分BIN测试（选做） 11 ◆RBG混光实验 【建议课时】：4课时 LED原理简介 【LED的结构与发光原理】 LED 是一种电致发光器件，核心部分是由P型半导体和n型半导体组成的芯片，在两种半导体之间有一个过渡层，称为p-n结，其能带结构可解释LED发光原理。用Evn, Evp表示价带，Ecn，Ecp表示导带，EF表示费米能级，ED表示施主杂质能级，Ea表示受主杂质能级，Es表示禁带宽度。区导带上的实心点代表电子，p区价带上的空心点代表空穴。热平衡状态下p-n结的能带图如下图所示，n区和p区费米能级保持一致.在室温下，n区导带底附近的浅施主能级ED被电离并产生大量电子到导带，电子成为多数载流子。而在p区中，浅受主能级E,提供大量空穴，空穴是多数载流子.当在p-n结加正向电压时(n区接负电，p区接正电)，P-N 结势垒降低，n区电子会注入到p区，p区空穴注入到n区，形成如图1.1b所示的非平衡状态.被注入的电子和空穴称为非平衡载流子(又称少数载流子)。非平衡载流子和多数载流子在P-n结附近会产生复合，同时不断地将多余的能量以光的形式辐射出来，形成发光发光 辐 射 过程可分为带间辐射复合，以及杂质与主带间复合。对于有直接带隙的半导体材料伽III一族化合物GaN,GaAs)，复合辐射过程直接进行，具有较高的发光效率，称为带间辐射复合.对于间接带隙半导体材料(如，Si)，导带顶和价带底不在布里渊区的同一处，复合过程需要声子作为中间介质参与，复合几率和发光效率较低，需要掺入适当杂质来增加复合几率，提高发光效率，称为杂质与主带间复合。 描述发光二极管特性的主要物理量是①电特性②光度特性③色度特性④热学 特性。 电特性参数 【正向电压VF(Forward Voltage)：通过发光二极管的正向电流为确定值时，在两极间产生的电压降。 反向电流IR(Reverse Current)：加在发光二极管两端的反向电压为确定值时，流过发光二极管的电流。LED 理论伏安特性　如图1 所示,LED 的正向电压V 与正向电流I 相互关系如下式: I = I0 [ exp (eV/βkT - 1) ] 其中,V 为PN 结外加电压,I0 为定值,e 为电子电荷,k 为波尔兹曼常数,常数β近似取2 ,当外加电压较高,电流I 以扩散电流为主时,β近似等于1 ,T为温度 LED的伏安特性 伏安特性说明的是通过元器件的电流与电压的关系图，普通电阻的通过的电流和电压是成线性关系，符合欧姆定理，并且是一个定值Ω=I/V LED的I-V特性表征LED芯片PN结制备性能主要参数，LED通常都具有所示的较好的伏安特性。LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻 LED的I-V特性 1.正向截止区：（图oa或oa′段）a点对于V0 为开启电压，当V＜Va，外加电场尚未克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时电阻很大；开启电压对于不同LED其值不同，GaAs为1V，红色GaAsP为1.2V，GaP为1.8V，GaN为2.5V。 2.正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系，IS为反向饱和电流。V＞0时，V＞VF的正向工作区IF随VF指数上升。 3.反向截止区：V＜0时PN结加反偏压，V=-VR时，GaN反向漏电流IR（V=-5V）为10uA。 4.反向击穿区V＜-VR，V