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1．单项选择题 1 杂质半导体中的少数载流子浓度取决于 。 A．掺杂浓度　　 B．工艺 C.温度　　 D．晶体缺陷 2 硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于 。 A．正向导通状态　　 B．反向电击穿状态 C．反向截止状态 D．反向热击穿状态 3 测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地”的电压如图1所示， A．NPN型硅管 B．NPN型锗管 C．PNP型锗管 D．PNP型硅管 4 温度上升时，半导体三级管的 。 A．β和ICBO增大，UBE下降 B．β和UBE增大，ICBO减小 C．β减小，ICBO和UBE增大 D．β、ICBO和UBE均增大 图1 5 在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，ｕｏ与ｕｉ相位相反、 ︱AU︱ 1的只可能是 。 A．共集电极放大电路 B．共基极放大电路 C．共漏极放大电路 D．共射极放大电路 6 在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输人电阻的负反馈是 。 A．电压并联负反馈 B．电压串联负反馈 C．电流并联负反馈 D．电流串联负反馈 7 关于多级放大电路下列说法中错误的是 。 A．Aｕ等于各级电压放大倍数之积 B．Rｉ等于输入级的输入电阻 C．R。等于输出级的输出电阻 D．Ａｕ等于各级电压放大倍数之和 （8） 用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻RE，可以提高电路的 。 A．︱Aｕｄ︱ B． ︱Aｕｅ︱ C．Ｒｉｄ D．ＫＣＭＲ 9 电路如图2所示，其中U２＝20V，C＝100ｕF。变压器内阻及各二极管正向导通时的电压降、反向电压均可忽略，该电路的输出电压U０≈ 。 A．24V　 B．28V C．－28V D．－18V 图2 10 在下列四种比较器中．抗干扰能力强的是 。 A．迟滞比较器 B．零比较器 C．三态比较器 D．窗口比较器 2．填充题 11 当放大电路输入非正弦信号时，由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数而产生的输出失真称为　　　　失真，由于相位滞后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为　　　失真，这两种失真统称为　　　失真或　　　失真。 12 半导体三极管属　　　　控制器件，而场效应管属于　　　　控制器件。 13 按结构不同，场效应管可分为　　　　型和　　　　型两大类。 14 集成运放内部电路实际上是一个　　　　、 、 放大电路。 15 直流稳压电源由　　　　、 、 、 四个部分组成。 16 按幅频特性不同，滤波器可分为　　　　滤波器、　　　　滤波器、　　　　滤波器、　　　　滤波器及　　　　滤波器等五种。 3．分析计算题 （17）电路如图３所示．已知RB1＝50KΩ, RB2＝10KΩ, RC＝6KΩ, RE＝750Ω,信号源内阻RS＝ 5KΩ,负载电阻RL＝10KΩ,电源电压＋VCC 12V,电容C1、C2的电容量均足够大,晶体管的β 99、 rbe 1 KΩ、U BE 0.7V。试求：（a）电压放大倍数Au（ UO/UI）及Aus（ UO/US）; （b）输入电阻Ri和输出电阻RO。 图3 图4 （18）电路如图4所示。已知：VCC＝40V，RL＝8Ω，输入电压ui 20＋10sinωt（V）,电容器C的电容量足够大。试求uo、输出功率PO、电源消耗功率PV及能量转换效率η。 （19）电路如图5所示。其中R1＝R2，R3＝R4＝R5＝R6，各集成运放的性能均理想。试求u01、u02及u0的表达式。 图5 （20）电路如图所示。已知：R1＝R2＝R3＝RW＝1 KΩ，DZ提供的基准电压UR＝6V，变压器付边电压有效值（U2）为25V，C＝1000u F。试求UI、最大输出电压U0max及最小输出电压UOmin,并指出UO等于U0max或UOmin时，RW滑动端各应调在什么位置。 加26某放大电路中V的对数幅频特性如图3所示。（1）试求该电路的中频电压增益VM ，上限频率fH，下限频率fL；（2）当输入信号的频率f fL或f fH时，该电路实际的电压增益是多少分贝？ 5分 20．已知某放大电路电压增益的频率特性表达式为（试中f的单位为HZ）试求：该电路的上、下限频率，中频电压增益的分贝数，输出电压与输入电压在中频区的相位差。（4分） 试卷二答案 1．单项选择题 1 C 2 B 3 C 4 A 5 D 6 B 7 D 8 D 9 B 10 A 2．填充题 11 幅频 相频 频率 线性 12 电流 电压 13 结 绝缘栅 14 高增益 直接耦合 多级 15 变压器 整流电路 滤波电路 稳压电路 16 低通 高通