ch3-a-基本逻辑门回顾精选.ppt

A B C L 1 L 2 分析下图所示逻辑门电路，根据输入波形对应画出输出波形 C = 0 L1= A L2 = B C = 1 L1= B L2 = A 3.3.2 CMOS漏极开路（OD）门和三态输出门电路 3.3.3 逻辑门电路的一般特性 1. 输入和输出的高、低电平 v O v I 驱动门 G 1 负载门 G 2 1 1 输出高电平的下限值 VOH(min) 输入低电平的上限值 VIL(max) 输入高电平的下限值 VIH(min) 输出低电平的上限值 VOL(max) 输出 高电平 + V DD V OH ( min ) V OL ( max ) G 1 门 v O 范围 v O 输出 低电平 输入 高电平 V IH ( min ) V IL ( max ) + V DD G 2 门 v I 范围 输入 低电平 v I 驱动门 负载门 VNH —当前级门输出高电平的最小 值时允许负向噪声电压的最大值。 负载门输入高电平时的噪声容限： VNH =VOH(min)－VIH(min) 2.噪声容限：在保证输出电平不变的条件下，输入电平允许波动的范围。它表示门电路的抗干扰能力. 1 驱动门 v o 1 负载门 v I 噪声 0 1 0 3.3.3 逻辑门电路的一般特性 驱动门 负载门 VNL —当前级门输出低电平的最大值时允许正向噪声电压的最大值 负载门输入低电平时的噪声容限： VNL =VIL(max)－VOL(max) 1 驱动门 v o 1 负载门 v I 噪声 1 0 1 类型 参数 74HC VDD=5V 74HCT VDD=5V 74LVC VDD=3.3V 74AUC VDD=1.8V tPLH或tPHL(ns) 7 8 2.1 0.9 3.传输延迟时间 传输延迟时间是表征门电路开关速度 的参数，它说明门电路在输入脉冲波 形的作用下，其输出波形相对于输入 波形延迟了多长的时间。 CMOS电路传输延迟时间 t PHL 输出 50% 90% 50% 10% t PLH t f t r 输入 50% 50% 10% 90% 3.3.3 逻辑门电路的一般特性 4. 功耗 静态功耗：指的是当电路没有状态转换时的功耗，即门电路空载时电源总电流ID与电源电压VDD的乘积。 5. 延时?功耗积 是速度功耗综合性的指标.延时?功耗积，用符号DP表示 扇入数：取决于其的输入端的个数。 6. 扇入与扇出数 动态功耗：指的是电路在输出状态转换时的功耗， 对于TTL门电路来说，静态功耗是主要的。 CMOS电路的静态功耗非常低，CMOS门电路有动态功耗 3.3.3 逻辑门电路的一般特性 1 0 1 1 1 电流方向? 灌电流 IIL IOL IIL … 1 n个 = nIIL 驱动门的所带负载分为灌电流负载和拉电流负载两种情况: （a)带灌电流负载 扇出数：是指其在正常工作情况下，所能带同类门电路的最大数目。 3.3.3 逻辑门电路的一般特性 负载门 驱动门 0 1 1 1 0 电流方向? 拉电流 IIH IOH … 1 n个 = nIIH (b)带拉电流负载 IIH 如NOH= NOL则取两者的最小值为门的扇出系数 3.3.3 逻辑门电路的一般特性 负载门 驱动门 电路类型 电源电压/V 传输延迟时间/ns 静态功耗/mW 功耗－延迟积/mW-ns 直流噪声容限 输出逻辑摆幅/V VNL/V VNH/V TTL CT54/74 ＋5 10 15 150 1.2 2.2 3.5 CT54LS/74LS ＋5 7.5 2 15 0.4 0.5 3.5 HTL ＋15 85 30 2550 7 7.5 13 ECL CE10K系列 －5.2 2 25 50 0.155 0.125 0.8 CE100K系列 －4.5 0.75 40 30 0.135 0.130 0.8 CMOS VDD=5V ＋5 45 5×10－3 225 ×10－3 2.2 3.4 5 VDD=15V ＋15 12 15×10－3 180 ×10－3 6.5 9.0 15 高速CMOS ＋5 8 1×10－3 8 ×10－3 1.0 1.5 5 　　各类数字集成电路主要性能参数的比较 3.3.3 逻辑门电路的一般特性 三、CMOS 集成电路的主要特点 (1) 功耗极低。 LSI：几个 μW ， MSI：100 μW (2) 电源电压