CMOS工艺流程精选.pptVIP

集成电路制造技术 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 垂直式热氧化炉管系统 反应离子刻蚀设备 离子注入系统的原理示意图 简单平行金属板直流二极管溅射系统 尾气 e- e- e- DC 直流二极管 溅射装置 衬底 1) 电场产生 Ar+ 离子 2) 高能Ar+ 离子和 金属靶撞击 3) 将金属原子 从 靶中撞击 阳极(+) 阴极 (-) 氩原子 电场 金属靶 等离子体 5) 金属淀积在衬底上 6) 用真空泵将多余 物质从腔中抽走 4) 金属原子向衬底迁移. 进气 + + + + + * * CMOS PROCESS FLOW INTRODUCTION 加热器1 加热器2 加热器3 压力控制器 气体流量控制器 晶圆操作控制器 晶舟装载器 排出控制器 温度控制器 微控制器 HMDS：六甲基乙硅氮烷——(CH3)6Si2NH 作用：去掉SiO2表面的-OH，增强附着力 离子源 分析用磁铁 加速管 离子束 等离子体 工艺腔 吸出组件 扫描圆盘 *