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5. 霍尔元件温度补偿 霍尔元件是采用半导体材料制成的,因此它们的许多参数都具有较大的温度系数。当温度变化时,霍尔元件的载流子浓度、 迁移率、电阻率及霍尔系数都将发生变化,从而使霍尔元件产生温度误差。 为了减小霍尔元件的温度误差, 除选用温度系数小的元件或采用恒温措施外,由UH=KHIB可看出:采用恒流源供电是个有效措施,可以使霍尔电势稳定。但也只能是减小由于输入电阻随温度变化所引起的激励电流I的变化的影响。 霍尔元件的灵敏系数KH也是温度的函数,它随温度变化将引起霍尔电势的变化。霍尔元件的灵敏度系数与温度的关系可写成 KH=KH0(1+αΔT) ? (7-20) 式中: KH0——温度T0时的KH值; ΔT=T-T0——温度变化量; α——霍尔电势温度系数。 大多数霍尔元件的温度系数α是正值,它们的霍尔电势随温度升高而增加αΔT倍。 但如果同时让激励电流Is相应地减小, 并能保持KH· Is 乘积不变,也就抵消了灵敏系数KH增加的影响。 图7-14就是按此思路设计的一个既简单,补偿效果又较好的补偿电路。电路中Is为恒流源,分流电阻Rp与霍尔元件的激励电极相并联。当霍尔元件的输入电阻随温度升高而增加时,旁路分流电阻Rp自动地增大分流,减小了霍尔元件的激励电流IH,从而达到补偿的目的。 图7-14 恒流温度补偿电路 在图7-14所示的温度补偿电路中,设初始温度为T0,霍尔元件输入电阻为Ri0,灵敏系数为KH0,分流电阻为Rp0,根据分流概念得 (7-21) 当温度升至T时,电路中各参数变为 (7-22) (7-23) 式中:δ——霍尔元件输入电阻温度系数; β——分流电阻温度系数。 则 (7-24) 虽然温度升高了ΔT,为使霍尔电势不变,补偿电路必须满足温升前、 后的霍尔电势不变,即UH0=UH,则 KH0IH0B=KHIHB (7-25) 有 KH0IH0=KHIH (7-26) 将式(7-20)、(7-21)、(7-24)代入上式,经整理并略去αβ(ΔT)2高次项后得 (7-27) 当霍尔元件选定后,它的输入电阻Ri0和温度系数δ及霍尔电势温度系数α是确定值。由式(7-27)即可计算出分流电阻Rp0及所需的温度系数β值。为了满足Rp0及β两个条件,分流电阻可取温度系数不同的两种电阻的串、并联组合,这样虽然麻烦但效果很好。 7.2.2 霍尔传感器的应用 1. 霍尔式微位移传感器 霍尔元件具有结构简单、体积小、动态特性好和寿命长的优点,它不仅用于磁感应强度、有功功率及电能参数的测量, 也在位移测量中得到广泛应用。 图7-15 霍尔式位移传感器的工作原理图 (a) 磁场强度相同传感器; (b) 简单的位移传感器; (c) 结构相同的位移传感器 图7-15给出了一些霍尔式位移传感器的工作原理图。图7-15(a)是磁场强度相同的两块永久磁铁,同极性相对地放置, 霍尔元件处在两块磁铁的中间。由于磁铁中间的磁感应强度B=0, 因此霍尔元件输出的霍尔电势UH也等于零,此时位移Δx=0。若霍尔元件在两磁铁中产生相对位移,霍尔元件感受到的磁感应强度也随之改变,这时UH不为零,其量值大小反映出霍尔元件与磁铁之间相对位置的变化量。这种结构的传感器, 其动态范围可达5 mm,分辨率为0.001mm。 图7-15(b)是一种结构简单的霍尔位移传感器,是由一块永久磁铁组成磁路的传感器,在霍尔元件处于初始位置Δx=0时, 霍尔电势UH不等于零。 图7-15(c)是一个由两个结构相同的磁路组成的霍尔式位移传感器,为了获得较好的线性分布,在磁极端面装有极靴, 霍尔元件调整好初始位置时, 可以使霍尔电势UH=0。 这种传感器灵敏度很高, 但它所能检测的位移量较小, 适合于微位移量及振动的测量 。 2. 霍尔式转速传感器 图7-16是几种不同结构的霍尔式转速传感器。转盘的输入轴与被测转轴相连,当被测转轴转动时,转盘随之转动,固定在转盘附近的霍尔传感器便可在每一个小磁铁通过时产生一个相应的脉冲,检测出单位时间的脉冲数,便可知被测转速。根据磁性转盘上小磁铁数目多少就可确定传感器测量转速的分辨率。 3. 霍尔计数装置 霍尔集成元件是将霍尔元件和放大器等集成在一块芯片上。 它由霍尔元件、 放大器、电压调整电路、电流
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