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2、工作原理 二． TTL反向器的静态特性 1. 电压传输特性vO = f(vI) 2.输入伏安特性 iI = f(vI) 4、输出特性 4、输出特性 例：计算G1能驱动的同类门的个数。设G1满足：VOH=3.2V, VOL=0.2V。 三．TTL反向器的动态特性 1.传输延迟时间 2.电源动态尖峰电流 ３.３.3 其他类型的TTL门电路 （一）其他逻辑功能的门电路 2.或非门 3.与或非门 4.异或门 （二）集电极开路门电路 (OC门) Open Collector Gate （三）三态输出门电路（TS） (四)TTL电路的改进系列 1.74H系列 (高速系列) 2. 74S系列(肖特基系列) Three-State Output Gate (5v) T2 (Vo) R 2 R 1 Y T1 R 3 R 4 T4 T5 VB1 D 3 cc V A B 1.电路 D EN 3.6V 0.2V 3.6V 4.3V 0.9V 0.9V 2.9V EN:使能端，控制端 图3.5.38 三态输出门的电路图和图形符号 (a)控制端高电平有效 (b)控制端低电平有效 1.TS门电路 2. TS门用途：总线传输 实现分时传输 用TS门接成总线结构 用TS门实现数据的双向传输 EN=1，D0?总线； EN=0，总线 ? 2. 用途:总线传输 各改进系列都围绕提高速度和降低功耗两点进行。 cc V T2 (Vo) A R 2 R 1 Y T1 R 3 R 4 T4 T5 VB1 VB2 VC2 VE2 D 2 D 3 D 1 B 74系列与非门 T3 R 5 74H系列与非门 * TTL门电路 * TTL门电路 3.３ TTL门电路 3.３.1　双极型三极管的开关特性 3.３.3 其他类型的TTL门电路 3.３.2　TTL反相器 3.3 TTL门电路 按集成度分类： 小规模集成电路SSI: Small Scale Integration; 中规模集成电路MSI: Medium Scale Integration; 大规模集成电路LSI: Large Scale Integration; 超大规模集成电路VLSI: Very Large Scale Integration 按制造工艺分类： 双极型集成电路: TTL 单极型集成电路: CMOS 集成电路(IC)： TTL (Transistor-Transistor Logic): 在一块半导体基片上制作出一个完整的逻辑电路所需要的全部元件和连线。使用时接：电源、输入和输出。 输入端和输出端均为三极管结构的逻辑电路～。 1、三极管的开关特性 饱和 放大 导通 截止 BC结 BE结 特 点 条 件 UON (0.7V) 0ibIBS ic=0 , iB=0 uCE＝VCC ic= ib uCE＝VCC－iCRc =UCES=0.3V 0V 反 反 反 正 正 正 Ib IBS 开关特性可归纳为下表： 3.３.1　双极型三极管的开关特性 ＋ － Rb Rc +VCC b c e ＋ － 截止状态 饱和状态 iB≥IBS ui=UILUon uo=+VCC ui=UIH uo=UCES=0.3V ＋ － Rb Rc +VCC b c e ＋ － ＋ ＋ － － 0.7V 0.3V 饱和区 截止区 放 大 区 例：电路如图所示，分别求当ui=1V，ui=0.3V，ui＝3V时三极管的工作状态。 设：VCC=5V VIH=5V VIL=0V 2、三极管非门 图3.5.7 三极管非门 0 1 1 0 Y A Y A 1 Y A 例：在反相器电路中，若VCC=5V , VEE=-8V , RC=1k? , R1= 3.3k?, R2= 10k?, ?=20, 饱和压降UCE(sat)=0.1V,输入的高、低电平分别为VIH=5V、 VIL=0V ，试计算输入高，低电平时对应的输出电平，并说明电路参数的设计是否合理。 解： 方法1:求基极回路戴维南等效电路。 方法2:直接求解。 iB i1 i2 D1 D2 A B Vcc 二极管与门 3、复合门电路 三极管非门 RC R1 F Vcc -VEE R2 输入级 倒相级 输出级 VCC A T1 T2 T4 T5 4k? 1.6k? 1k? 130? D2 Y R3 R1 R2 R4 D1 (vI) （vo) vB1 vC2 vE2 一．TTL反向器