第14章半导体器件(新).ppt

14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.2 PN结及单向导电特性 14.2.1 PN结的形成 14.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） PN结的电容效应 作业：P8 14.1.2 14.1.3 14.3 二极管 14.3.1 基本结构、符号、分类、命名 14.3.2 伏安特性 14.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 特殊二极管 稳压二极管（反向击穿特性） 发光二极管（正向特性） 光电二极管（反向特性） 变容二极管 。。。。。。。。 14.4 稳压二极管 14.6光电二极管 3. 主要参数 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 例：分别测得工作在放大电路中三个晶体管各极电位如表所示，分别判断它们是硅管还是锗管，是NPN还是PNP型，并标出e，b，c填在表中。 晶体管电流测量数据 14.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 截止区 3 饱和区 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1 直观地分析管子的工作状态 2 合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 mA ?A V V IC EC IB RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 特点:非线性 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6 ~ 0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V 3DG100晶体管的 输入特性曲线 O 0.4 0.8 IB/?A UBE/V UCE≥1V 60 40 20 80 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 共发射极电路 IC EC UCC IB RB + UBE ? + UCE ? EB C E B IC/mA UCE/V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB 0 3DG100晶体管的输出特性曲线 在不同的 IB下，可得出不同的曲线，所以晶体管 的输出特性曲线是一组曲线。 晶体管有三种工作状态，因而输出特性曲线分为三个工作区 3DG100晶体管的输出特性曲线 IC/mA UCE/V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB 0 1 放大区 在放大区 IC ? IB ，也称为线性区。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 对 NPN 型管而言, 应使 UBE 0, UBC 0，此时， UCE UBE。 Q2 Q1 大 放 区 IC/mA UCE/V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB 0 2 对NPN型硅管，当 UBE 0.5V时, 即已 开始截止, 为使晶体 管可靠截止 , 常使 UBE? 0。截止时, 集 电结也处于反向偏 置 UBC 0 ,此时, IC? 0, UCE? UCC 。 IB 0 的曲线以下的区域称为截止区。 IB 0 时, IC ICEO 很小 。 ICEO 0.001mA 截止区 IC/mA UCE/V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB 0 在饱和区，?IB ?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 IC ? UCC/RC 。 当 UCE UBE 时， 集电结处于正向偏置 UBC 0 ， 晶体管工作于饱和状态。 饱和区 晶体管三种工作状态的电压和电流 a 放大 + UBE 0 ? IC IB + UCE ? ? UBC 0 + b 截止 IC ? 0 IB 0 + UCE ? UCC ? ? UBC 0 + + UBE ? 0 ? c 饱和 + UBE 0 ? IB + UCE ? 0 ?