ECRCVD设备镀膜工艺及膜系设计理论课稿.ppt

ECRCVD设备镀膜工艺及膜系设计理论讲座 ECRCVD设备的基本原理 膜系设计基本理论 650nm LD中应用到的典型λ/4膜系 设计好的膜系在ECRCV设备上如何实现 1 ECRCVD设备的基本原理 2 膜系设计基本理论 3 650nm LD中应用到的典型λ/4膜系 4 设计好的膜系在ECRCV设备上如何实现 * * 制作：李雪冬 1.2 英文翻译 ： Electron Ceclotron Resonance Chemical Vapor Deposition 电子回旋共振化学气相沉积 1.3 设备基本原理：微波激励、磁场限制气体辉光放电产生等离子体，在淀积室中反应并沉积形成介质膜。微波激励气体辉光放电，磁场可以增加离子行程，增加等离子体密度，并在一定程度上限制离子。离子在淀积室中反应，沉积在衬底上形成薄膜。 1.1 工艺目的：在半导体激光器的前后腔面镀光学介质膜用 以形成谐振腔。 1.4 设备示意图（未反映水电气系统）。 1.5 设备结构图（未反映水电气系统）。 1.6 重点概念 分子的平均自由程：分子在连续两次碰撞之间所走过的平均 路程。 等离子体：气体放电过程中分子、离子、电子混合存在,形 成相对稳定的状态，称为等离子体。 气体辉光放电：气体直流放电特性，特点是辉光放电时放电 管管压降、电流稳定，气体呈现辉光。 化学气相沉积：在等离子状态下，一些离子在真空室中发生 化学反应，形成固体沉积下来，称为化学气相沉积。 2.1 光在自由空间传播的基本概念和公式: 横波：波的振动方向与传播方向垂直。 光的偏振： 光的振动方向与传播方向的不对称性叫光的偏振。 光的正弦波表示： 自由空间的光程： Δ nd 光的干涉：两束相干光在迭加区域内，某些区域光强减小，某些区域光强增大的现象。本质上是波的迭加。单色光在空间某点能否形成干涉要看能否形成固定相位差。 2.2 光在两种均匀介质界面的传播的基本概念和公式： 入射面：入射光线与入射点处界面法线所构成的平面 入射角：入射光线与入射点处界面法线所构成的夹角 折射定律: n0 sinθ0 n1 sinθ1 S光、P光：偏振光在入射界面按振动分量分解成S光、P光。S光的振动方向垂直与入射面，P光的振动方向平行与入射面，界面对S光和P光有不同的反射率。 2.3 光在分层均匀介质薄膜的传播的基本概念和公式: 建立光在薄膜中传播的麦克斯韦方程组，根据边界条件求解，得到干涉矩阵 折射定律： 光在薄膜中传播的光程差： 薄膜的光学厚度： 薄膜的相位厚度： 艾塔参量 S光 ， P光 干涉矩阵（特征矩阵）： 组合导纳： 反射率： η0是入射介质 正入射：入射角为0，即θ0 0。 反射率极值：正入射情况下，在薄膜的光学厚度 n1d1为 λ/4的整数倍时，反射率R取极值。 （菲涅尔振幅系数公式） 无影响膜层：在正入射下，薄膜的光学厚度 n1d1为 λ/2的整数倍时，特征矩阵为单位矩阵，对膜系没有影响。 2.4 单层膜正入射的反射率极值（菲涅尔振幅系数公式） 2.5 周期性λ/4膜系的基本概念和公式 周期性λ/4膜系：膜系结构周期性重复，各层膜的光学厚度均为λ/4，又称规则膜系。 图例 正入射下： 3.1 重点概念 增透膜：设计膜系的反射率低于不镀膜时的反射率,称为增透膜或减反膜。 高反膜：设计膜系的反射率高于不镀膜时的反射率,称为高反膜。 3.2 基本膜系设计参数选取 波长λ 650nm 因为激光器内发散角小于10°，可近似为正入射。 入射介质近似为GaAs，出射介质为空气 。 n0 3.52 nk+1 n2N+1 1 膜层介质为Si02、SiNx 。 n1 1.46~1.52 n2 1.8~2.8 3.3 典型规则膜系： 3.3.1 R 95% 膜系结构： GaAs| Si02|SiNx 4|Air R 3.3.2 R 85% 膜系结构： GaAs| Si02|SiNx 3|Air R 3.3.3 R 30% 膜系结构： GaAs|Si02|Si02|Air R 3.3.2 R 5% 膜系结构： GaAs|Si02|Air R 3.3.4 R 0% 膜系结构： GaAs|SiNx|Si02|Air R n1 4.1 工艺基本过程： 放入工艺气体 微波启动，计时 计时结束，微波停止 4.2 反应方程式: SiO2 SiNx 4.3 折射率和膜厚控制 折射率控制：改变工艺参数，如微波功率、反应气体流量等 膜厚控制： 控制工艺条件和工艺时间