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第二章三极管练习题 一、填空题： 1．晶体管工作在饱和区时发射结 偏；集电结 偏。 2．三极管按结构分为_ 和 两种类型，均具有两个PN结，即______和______。 3.三极管是___________控制器件，场效应管是 控制器件。 4.晶体管放大电路的性能指标分析，主要采用 等效电路分析法。 5.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1 6.5V,U2 V,U3 15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。________、___________和__________。 7．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。 8．场效应管同 三极管相比其输入电阻_________，热稳定性________。 9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时，输入信号必须是________的信号。 10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。 11.在正常工作范围内，场效应管 极无电流 12．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。 13.晶体三极管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件，而场效应管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件。 14．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。 15．作放大作用时，场效应管应工作在＿＿＿＿ 截止区，饱和区，可变电阻区 。 16．晶体三极管用于放大时，应使发射极处于＿＿偏置，集电极处于＿＿偏置 。 二、选择题： 1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC 6V，VB 0.7V，VE 1V则晶体管工作在（ ）状态。 A、 放大 B、截止 C、饱和 D、损坏 2、三级管开作在放大区，要求（??? ）A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏3、在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的哪个区域？（ ） A 可变线性区 B 截止区 C 饱合区 D击穿区 4.一NPN型三极管三极电位分别有VC 3.3V，VE 3V，VB 3.7V，则该管工作在（ ） A．饱和区 B．截止区 C．放大区 D．击穿区 5.三极管参数为PCM 800mW, ICM 100mA, UBR CEO 30V,在下列几种情况中，（ ）属于正常工作。 A．UCE 15V，IC 150 mA B．UCE 20V，IC 80 mA C．UCE 35V，IC 100 mA D．UCE 10V，IC 50mA 6.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ） A VC 0.3V，VE 0V， VB 0.7V B VC -4V， VE -7.4V，VB -6.7V C VC 6V， VE 0V， VB -3V D VC 2V， VE 2V， VB 2.7V 7.如果三极管工作在截止区，两个PN结状态（ ） A．均为正偏 B．均为反偏 C．发射结正偏，集电结反偏 D．发射结反偏，集电结正偏 8.场效应管工作在恒流区即放大状态时，漏极电流ID主要取决于（ ） A、栅极电流 B、栅源电压 C、漏源电压 D、栅漏电压。 9.场效应管是一种（ ）器件 A、电压控制 双极型 B、电压控制 单极型 C、、电流控制 双极型 D、电流控制 单极型、 10. 有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC 6V，VB 0.7V，VE 1V则晶体管工作在（ ）状态。 A、 放大 B、截止 C、饱和 D、损坏 11、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 12、工作于放大状态的PNP管，各电极必须满足（ ） A．ＵC UB UE B。ＵC UB UE C。UB ＵC UE D。ＵC UE UB 13．下列场效应管，哪一个是耗尽型NMOS管 （ ） A． B。 C。 D。 14、UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 三、判断题 判断图示三极管的工作状态。 判断图示电路对交流信号有无放大作用。若无放大作用，请予改正。 3、如图示，试判断工作在饱和状态的管子（ ）。 4.工作在放大区的三极管，集电结正偏。 5.晶体三极管的C、E可以交换使用。 6．三极管是电压放大元件。 7．处于放