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模拟电子第五版康光华第五章场效应管放大电路

第五章 场效应管放大电路 5.1.4 沟道长度调制效应 实际上饱和区的曲线并不是平坦的 L的单位为?m 当不考虑沟道调制效应时,?=0,曲线是平坦的。 修正后 第五章 场效应管放大电路 5.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 NMOS增强型 1. 开启电压VT (增强型参数) 2. 夹断电压VP (耗尽型参数) 3. 饱和漏电流IDSS (耗尽型参数) 4. 直流输入电阻RGS (109Ω~1015Ω ) 二、交流参数 1. 输出电阻rds 当不考虑沟道调制效应时,?=0,r ds→∞ 第五章 场效应管放大电路 5.1.5 MOSFET的主要参数 二、交流参数 2. 低频互导gm 考虑到 则 其中 第五章 场效应管放大电路 5.1.5 MOSFET的主要参数 三、极限参数 1. 最大漏极电流ID M 2. 最大耗散功率PD M 3. 最大漏源电压V(BR)DS 4. 最大栅源电压V(BR)GS 第五章 场效应管放大电路 5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 第五章 场效应管放大电路 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 第五章 场效应管放大电路 5.3.1 JFET的结构和工作原理 2. 工作原理(以N沟道JFET为例) (1)vGS对沟道的控制作用 当vGS<0时 当沟道夹断时,对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP (或VGS(off))。 对于N沟道的JFET,VP 0。 PN结反偏、耗尽层加厚、沟道变窄。 vGS继续减小,沟道继续变窄。 第五章 场效应管放大电路 5.3.1 JFET的结构和工作原理 2. 工作原理(以N沟道JFET为例) (2)vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时, vDS? ? ID ? G、D间PN结的反向电压增加,使靠近漏极处的耗尽层加宽,沟道变窄,从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时,在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS ? ?夹断区延长 ?沟道电阻? ? ID基本不变 第五章 场效应管放大电路 5.3.1 JFET的结构和工作原理 2. 工作原理(以N沟道JFET为例) 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电,所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件,iD受vGS控制。 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系;预夹断后,iD趋于饱和。 JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的,因此iG?0,输入电阻很高。 第五章 场效应管放大电路 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 2. 转移特性 1. 输出特性 电子技术基础 主讲:孙 静 模拟部分 第14讲 第五章 场效应管放大电路 5.2 MOSFET放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析 学习方法: 与BJT的分析方法对照学习 1. 直流偏置及静态工作点的计算 (1)简单的共源极放大电路(N沟道) 第五章 场效应管放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 直流通路 共源极放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 (1)简单的共源极放大电路(N沟道) 第五章 场效应管放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 假设工作在饱和区,即 验证是否满足 如果不满足,则说明假设错误 须满足VGS VT ,否则工作在截止区 再假设工作在可变电阻区 即 2. 图解分析 第五章 场效应管放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 由于负载开路,交流负载线与直流负载线相同。 3. 小信号模型分析 第五章 场效应管放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 (1)模型 静态值 (直流) 动态值 (交流) 非线性失真项 当,v gs 2(VGSQ- VT )时, 3. 小信号模型分析 第五章 场效应管放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 (1)模型 ?=0时 3. 小信号模型分析 第五章 场效应管放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 (2)放大电路分析(例5.2.5 P218 ) s 解:例5.2.2的直流分析已求得: 3. 小信号模型分析 第五章 场效应管放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 (2)放大电路分析(例5.2.5 P218 ) 第五章 场效应管放大电路 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 本节不做教学要求,有兴趣者自学 第五章 场效应管放大电路 5.5 各种放大器件电路性能比较 P240 第五章 场效应管放大电路 5.5

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