第10章材料分析方法.pptVIP

第二篇 材料电子显微分析 第八章 电子光学基础 第九章 透射电子显微镜 第十章 电子衍射 第十一章 晶体薄膜衍衬成像分析 第十二章 高分辨透射电子显微术 第十三章 扫描电子显微镜 第十四章 电子背散射衍射分析技术 第十五章 电子探针显微分析 第十六章 其他显微结构分析方法 第十章 电子衍射 本章主要内容 第一节 概 述 第二节 电子衍射原理 第三节 电子显微镜中的电子衍射 第四节 单晶体电子衍射花样的标定 第五节 复杂电子衍射花样 第一节 概 述 一、常见的电子衍射花样 晶态、准晶态和非晶态物质的衍射花样见图10-1 第一节 概 述 二、电子衍射的特点 与X射线衍射相比，电子衍射具有如下特点： 1 电子波波长?很小，故衍射角2? 很小 约10-2rad 、反射球半 径 1/? 很大，在倒易原点O*附近的反射球面接近平面 2 透射电镜样品厚度t 很小，导致倒易阵点扩展量 1/t 很大， 使略偏离布拉格条件的晶面也能产生衍射 3 当晶带轴[uvw]与入射束平行时，在与反射球面相切的零层 倒易面上， 倒易原点O*附近的阵点均能与反射球面相截， 从而产生衍射，所以单晶衍射花样是二维倒易平面的投影 4 原子对电子的散射因子比对X射线的散射因子约大4个数量 级， 故电子衍射强度较高，适用于微区结构分析，且拍摄 衍射花样所需的时间很短 第二节 电子衍射原理 一、布拉格定律 由X射线衍射原理已经知道，布拉格定律是晶面产生衍射 的必要条件， 它仍适用于电子衍射， 布拉格方程的一般形式 为 2dsin? ? 加速电压为100~200kV，电子束的波长为10-3nm数量级，而常 见晶体的面间距为10-1nm数量级，则有 sin? ? / 2d ? 10-2 ? 10-2rad ? 1? 表明电子衍射的衍射角很小，这是其衍射花样特征有别于X射 线衍射的主要原因之一 第二节 电子衍射原理 二、倒易点阵与爱瓦尔德图解 一 倒易点阵的概念 第二节 电子衍射原理 二、倒易点阵与爱瓦尔德图解 一 倒易点阵的概念 1. 倒易点阵基本矢量的定义 设正点阵的基本矢量为a、b、c，定义相应的倒易点阵基本矢 量为a*、b*、c* 图10-2 ，则有 10-1 式中，V 是正点阵单胞的体积， 10-2 第二节 电子衍射原理 二、倒易点阵与爱瓦尔德图解 一 倒易点阵的概念 2.倒易点阵的性质 1 基本矢量 10-2 10-3 倒易点阵基本矢量垂直于正点阵中与其异名的二基本矢量决 定的平面 正倒点阵异名基本矢量点乘积为0 ，由此可确定倒易点阵基 矢的方向 同名基本矢量点乘积为1， 由此可确定倒易点阵基矢的大小 第二节 电子衍射原理 二、倒易点阵与爱瓦尔德图解 一 倒易点阵的概念 2. 倒易点阵的性质 2 倒易矢量 在倒易空间内，由倒易原点O*指向坐标为hkl 的阵点矢量称倒易矢量，记为ghkl 10-4 倒易矢量ghkl与正点阵中的 hkl 晶面之间的几何关系为 10-5 倒易矢量ghkl可用以表征正点阵中对应的 hkl 晶面的特性 方 位和晶面间距 ，见图10-3 第二节 电子衍射原理 二、倒易点阵与爱瓦尔德图解 一 倒易点阵的概念 2. 倒易点阵的性质 4 对于正交晶系，有 10-6 对于立方晶系同指数晶向和 晶面互相垂直，即晶向[hkl] 是晶面 hkl 的法线 ， [hkl] // ghkl 第二节 电子衍射原理 二、倒易点阵与爱瓦尔德图解 二 爱瓦尔德球图解 在倒易空间，以O为球心，1/? 为半径作一个球，置倒易 原点O*于球面上，从O向O*作入射波矢量 k k 1/? ，此球称 爱瓦尔德球 或称反射球 ，见图10-4 若 hkl 晶面对应的倒易阵点G落在反射 球面上， hkl 满足布拉格条件，有 k?? k ghkl 10-7 式中， ghkl为 hkl 的倒易矢量；k? 为衍 射波矢量， 代表 hkl 晶面衍射束方向 爱瓦尔德球图解是布拉格定律的几何表 达形式， 可直观地判断 hkl 晶面是否 满足布拉格条件 第二节 电子衍射原理 二、倒易点阵与爱瓦尔德图解 二 爱瓦尔德球图解 由图10-4容易证明，式 10-7 和布拉格定律是完全等价的 说明， 只要 hkl 晶面的倒易阵点G 落在反射球面上，该晶面 必满足布拉格方程，衍射束的方向为k? OG 爱瓦尔德球内三个矢量k?、k 和 ghkl清晰地描述了入射束方向、 衍射束方向和衍射晶面倒易矢量之间的相对几何关系。 倒易 矢量 ghkl代表了正空间中 hkl 晶面的特性， 因此又称 ghkl为衍 射晶面矢量 如果能记录倒易空间中各 ghkl矢量的排列方式