第六章 塑性变习题集-附部分答案HPU.docVIP

1.简单立方晶体 100 面有1 个的刃位错 a 在 001 面有1 个b [010]的刃位错和它相截，相截后2 个位错产生扭折结还是割阶？ b 在 001 面有1 个b [100]的螺位错和它相截，相截后2 个位错产生扭折还是割阶？ 解：两位错相割后，在位错留下一个大小和方向与对方位错的柏氏矢量相同的一小段位错，如果这小段位错在原位错的滑移面上，则它是扭折；否则是割阶。为了讨论方便，设 100 面上的刃位错为A位错， 001 面上b [010]的刃位错为B位错， 001 面上b [100]的螺位错为C位错。 a A位错与B位错相割后，A位错产生方向为[010]的小段位错，A 位错的滑移面是 100 ，[010]?[100] 0，即小段位错是在A位错的滑移面上，所以它是扭折；而在B位错产生方向为[ 010 ]的小段位错，B位错的滑移面是 001 ， [010]?[001] 0 ，即小段位错在B位错的滑移面上，所以它是扭折。 b A位错与C位错相割后，A 位错产生方向为[100]的小段位错，A 位错的滑移面是 100 ，[100]?[100]≠0 ，即小段位错不在A 位错的滑移面上，所以它是割阶；而在C位错产生方向为的小段位错，C位错的滑移面是 001 ，，即小段位错在B位错的滑移面上，所以它是扭折。 2.下图表示在同一直线上有柏氏矢量相同的2 个同号刃位错AB 和CD，距离为x，他们作F-R 源开动。 a 画出这2 个F-R 源增殖时的逐步过程，二者发生交互作用时，会发生什么情况？ b 若2 位错是异号位错时，情况又会怎样？ 解： a 两个位错是同号，当位错源开动时，两个位错向同一方向拱弯，如下图 b 所示。在外力作用下，位错继续拱弯，在相邻的位错段靠近，它们是反号的，互相吸引，如上图 c 中的P 处所示。两段反号位错相吸对消后，原来两个位错连接一起，即形成AD 位错，余下一段位错，即BC 位错，这段位错和原来的位错反号，如上图 d 所示。在外力作用下，BC 位错也作位错源开动，但它的拱弯方向与原来的相反，如上图 e 所示。两根位错继续拱弯在如图 f 的O 及O处再相遇，因为在相遇处它们是反号的，所以相吸对消。最后，放出一个大位错环，并回复原来的AB 和CD 两段位错，如上图 g 所示。这个过程不断重复增值位错。 b 两个位错是反号，当位错源开动时，两个位错向相反方向拱弯，如下图 b 所示。在外力作用下，位错继续拱弯，在相邻的位错段靠近，它们是反号的，互相吸引，如下图 c 中的P 处所示。两段反号位错相吸对消后，即形成AC 和BD 位错，如下图 d 所示。AC和BD 位错继续滑动，它们在下图 e 的O 及O处又相遇，在相遇处的位错也是反号的。反号位错相吸并对消，放出一个大位错环，同时恢复原来的AB 和CD 两段位错，如下图 f 所示。这个过程不断重复增值位错。 上述过程是两段位错间的距离x 不是很大的情况下发生的，如果x 很大，两个位错单独作为位错环开动，他们各自放出一个位错环，然后两个位错再合并成一个大位错环。 3．写出面心立方结构中位错反应的反应结果，这个反应能否进行？形成的位错能不能滑动？为什么？ 解：，根据位错反应的Frank判据，反应式左端的柏氏矢量平方和为，而右端的柏氏矢量平方为a2 ，因2a2 a2，所以反应可以进行。位错的滑移面是 111 ， 位错的滑移面是，所以反应生成的位错线在 111 与的交线上，这个位错的滑移面是 001 ，它不是面心立方容易滑移的滑移面，所以不易滑动。 4. 铜单晶体拉伸时，若力轴为[0 0 1]方向，临界分切应力为0.64Mpa，需要多大的拉伸力才能使晶体开始塑性变形？（10分） 5. 体心立方晶体可能的滑移面是 110 、 112 及 123 ，若滑移方向为[1 11]，具体的滑移 系是哪些? 6. 铜单晶表面平行于 001 面，若晶体可以在各个滑移系滑移，画出表面出现的滑移线的 痕迹，求出滑移线间的角度。若铜晶体表面平行于 111 面，情况又如何? 7. 铝的临界分切应力为2.40×105 Pa，当拉伸轴为[001]时，引起屈服所需要的拉伸应力是 多大? 8 面心立方晶体沿[131]轴拉伸，确定如下滑移系的分切应力： 111 [ 0 1 1 ]、 111 [10 1 ]、 111 [1 1 0 ]。拉伸应力为6.9×105 Pa。 9. 分析单晶体拉伸时所发生的转动方向，说明原因。 10．画出体心立方、面心立方和密排六方晶体的滑移系。 11．体心立方晶体｛110｝＜111＞；｛112｝＜111＞；｛123｝＜ 111＞滑移系共有多少个？ 12、材料冷塑变时，主要的变形方式有那些？ 13.滑移与孪生有何异同？ 14、何为滑移带与滑移线？何为交滑移与多滑移