第11讲绝热电路类型等分解.ppt

Adiabatic电路 一、静态CMOS反相器的能耗 功耗从哪儿来？ 功耗一般分两种 1 开关的动态功耗， 1 电容充放电 2 P/N MOS 同时打开形成的瞬间短路电流 2 来自漏电的静态功耗 1 扩散区和衬底形成二极管的反偏电流 2关断晶体管中通过栅氧的电流 芯片的漏电会随温度变化，所以当芯片发热时，静态功耗指数上升，漏电流也会随特征尺寸减少而增加。 公式：Ptotal Pdynamic + Pshort + Pleakage 一、传统CMOS的能耗 每周期能耗 减小能耗方法：第一，多阈值泄漏优化（mutiple threshold leakage optimization）。库文件一般有三版：低Vth 快，大漏电 ，标准Vth,高Vth 慢，低漏电 。工具一般尽量用高Vth cell,而由于timing限制则需用低Vth cell.很明显，选库很重要。 第二，多个电压域（multiple voltage domains）。不同工作电压需要库的支持。不同电压区域的划分则需要前后端设计的协作。 第三，基于门控时钟的本地锁存。这是在成组的flop之前加上特定的时钟门控锁存. 第四，分类门级优化（Classical gate level optimization）。改变单元尺寸，去除不必要的buffer,合并门，加入buffer减少skew,调整逻辑等等。