《光电材料与器件教学课件》第四章.pptVIP

下标t：热激发 下标b：背景辐射 从而： 响应度与光生载流子寿命τ成正比 响应度与无信号时的载流子浓度成反比 响应度与外加电场成正比 考虑到焦耳热，外加电场应有一个最佳值 在满足αd﹥﹥1的条件下，减少探测器厚度也对提高响应度有利 减少反射，镀增透膜也对提高响应度有利 响应度与光电转换量子效率成正比 P0为无信号照射时空穴的浓度 由两部分构成：热激发和背景辐射产生的光生载流子 宽度w 厚度d b 考虑载流子浓度梯度及表面复合 体内的稳态方程 L：载流子扩散长度 边界条件： 微分方程的解为： 响应度为： 提高载流子寿命τ 降低无信号时的载流子浓度——低温、滤除杂散光（可以降低背景噪声） 适当提高外加电场 适当减少探测器厚度 镀增透膜 提高光电转换量子效率 表面钝化处理、光电导层与衬底之间过渡层 电子迁移率与空穴迁移率之比 表面复合几率 如何排除 的影响 应尽量降低表面复合速度SV并尽可能减少d 5） 本征光电导的时间响应 光电导的响应与光生载流子Δn（ Δp）成正比 1）上升情况 时 光电导探测器的弛豫现象 或滞后现象 τ愈大，曲线上升愈慢 2）下降情况 时 τ愈大，曲线下降愈慢 光电导灵敏度 响应速度 5） 本征光电导的频率响应 输入交变光信号 输出交变电压信号 响应度 随调制频率的增加而减小 若 接近于 则可能产生相位跳变 第四章 光电导材料及器件 数码相机为什么能实现自动曝光？ 一、光电导型探测器简介 光控开关 光敏电阻结构示意图 光电导材料 硫化物、氧化物、卤化物 常用材料 CdS、CdSe、PbS、InSb、TeCdHg CdS的应用最多 PbS、TeCdHg主要用于军事 利用半导体光电导效应制成的器件称为光电导探测器，简称PC（Photoconductive）探测器－－又称为光敏电阻 ①光谱响应：紫外－－远红外 ②工作电流大，可达数毫安 ③可测强光，可测弱光 ④灵敏度高，光电导增益大于1 ⑤无极性 光电导探测器的特点 光电导探测器的定义及特点 第一节：本征光电导和杂质光电导 1、光电导产生的原因 暗（无光照时）电导率 半导体的电导率 光照时的电导率 光照时的非平衡载流子注入产生的附加电导率 称为光电导率 暗电流（越小越好） 1、光电导产生的原因（续） 光激发 载流子浓度增加 电导率增加 光电导效应只发生在半导体材料中，金属没有光电导效应。 2. 光电导效应的分类 按基本激发过程分类 本征光电导探测器 杂质光电导探测器 光子能量大于半导体的禁带宽度，使电子从价带激发到导带而改变其电导率 入射辐射激发杂质能级上的电子或空穴而改变其电导率 1.极低温度下工作； 2. 常用N型 为红限波长 1、杂质吸收和光电导的长波限比本征吸收和光电导长波限要大得多 杂质光电导与本征光电导比较 2、杂质吸收和杂质光电导比本征吸收和本征光电导弱得多 3、杂质光电导必须低温下工作以避免杂质中心的热电离并使暗电导保持低值 4、本征光电导光的吸收深度可以浅得多，光电导的出现仅限于接近表面的薄层 杂质光电导吸收深度大，必须把光电导样品做得比较厚 5、本征光电导同时产生等量的自由电子和自由空穴，两者都对光电导作出贡献； 杂质光电导来说，只激发一种自由载流子 电子或空穴 6、杂质光电导和本征光电导对光强的依从关系不同 杂质浓度通常比主晶格原子浓度要小好几个数量级 第二节 光电导理论分析 设样品均匀地受到总功率：E 样品受照表面的反射系数：R 量子效率：η 1 样品的厚度足够大，透过入射面的光全被吸收，吸收的光子数： 样品中每秒钟内产生的总电子-空穴对数目 稳态非平衡载流子数 稳态光电导 暗电导 稳态光电流 U：施加电压 迁移率应该大 平均寿命长 量子效率大 反射低 长度应短 第三节 光电导灵敏度 1 比灵敏度 稳态光电导和电极之间距离平方的乘积除以入射的光功率 载流子寿命越高，比灵敏度就越高 量子效率越高，比灵敏度就越高 光电导增益 比灵敏度 相对光电导 响应度 2 光电导增益 G 一秒钟内每一个吸收的光子在两个电极之间所通过的载流子数目 载流子迁移率和寿命越长，光电导增益就越大 样品长度缩短也可以使光电导增益增大 设渡越时间为 吸收一个光子产生的载流子可以在电极之间多次通过，对光电导作出贡献 比灵敏度和光电导增益之间的关系 高灵敏度材料制成的器件光电导增益也高 如何提高光电导增益G？ 选用平均寿命长、迁移率大的半导体材料； 减少电极间距离； 适当加大偏压 参数选择合适时，M值可达102量级 其中， 刻线式成本较低 夹层式成本高但厚度小，相对来说最好 3 相对光电导—— 稳态光电导与暗电导之比 需规定测量时所用的光强度 KP除