沈阳化工大学无机科学基础--3-1缺陷类型与点缺陷导论.pptVIP

例： （1）在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6eV，计算25℃及1600℃时的热缺陷浓度? （2）如果MgO晶体中，含有百万分之一的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体中热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势？说明原因。 无机材料科学基础 缺陷的含义：晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。 缺陷对材料性能的影响 理想晶体：质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性 第二章 晶体结构缺陷 本章内容： 晶体结构缺陷的类型 点缺陷▲▲ 固溶体▲ 非化学计量氧化物 线缺陷 —— 位错 面缺陷 第一节 晶体结构缺陷的类型 几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷…… 形成原因：热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷…… 分类方式： （一）按缺陷的几何形态来划分 点缺陷 线缺陷 面缺陷 体缺陷：第二相粒子团、空位团…… 固溶体 1、点缺陷（零维缺陷） 缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。 根据其对理想晶体偏离的几何位置及成分来分： 空 位 填隙原子 杂质原子 2、线缺陷（一维缺陷） 指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷，即缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短。如各种位错（dislocation）。 刃位错　 螺位错 3、面缺陷（二维缺陷） 在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三维方向上很小。如晶界、表面、堆积层错、镶嵌结构等。 面缺陷 —— 晶界 面缺陷－堆积层错面心立方晶体中：抽出型层错 a 、插入型层错 b 面缺陷－共格晶面面心立方晶体中 111 面反映孪晶 （二）按缺陷产生的原因划分 热缺陷 杂质缺陷 非化学计量结构缺陷 其它：电荷缺陷，辐照缺陷…… 定义：当晶体的温度高于绝对0K时，由于晶格内原子热振动，使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成的缺陷，也称为本征缺陷。 弗仑克尔缺陷（Frenkel defect） 类型： 肖特基缺陷（Schottky defect） 1. 热缺陷 热缺陷浓度与温度的关系：温度升高时，热缺陷浓度增加。 弗仑克尔缺陷：（Frenkel defect） 特点：空位、间隙原子成对出现，晶体体积不变 定义：能量足够大的质点离开正常格点后挤入晶格间隙位置，形成间隙质点，而原来位置上形成空位 肖特基缺陷：（Shcottky defect） 特点：原子跃迁至表面，体内留下空位；晶体体积增加；正负离子空位成比例、成对出现 定义：正常格点上的质点获得能量后离开平衡位置迁移到新表面位置，而在晶体表面形成新的一层，同时在晶体内部正常格点上留下空位。 2. 杂质缺陷 定义: 是由外加杂质原子进入晶体而产生的缺陷，亦称为组成缺陷、非本征缺陷。杂质原子的含量一般少于0.1％。 类型：置换式杂质原子和间隙式杂质原子 特征: 杂质缺陷的浓度与温度无关。 只决定于溶解度 杂质缺陷对材料性能的影响 3. 非化学计量结构缺陷 定义：指组成上偏离化学计量而形成的缺陷。 特点：其化学组成随周围气氛的性质及其分压大小而变化，它是产生n型和p型半导体的基础，为一种半导体材料。 如： n 型半导体 4. 其它: 电荷缺陷、辐照缺陷…… 能带理论： 非金属固体 电子导电： n 型半导体 空穴导电： p 型半导体 非化学计量缺陷也称电荷缺陷 点缺陷的符号表征：Kroger-Vink符号 缺陷反应方程式的写法 热缺陷浓度的计算 第二节 点缺陷 （一）点缺陷的符号表征：Kroger-Vink符号 1. 空位（vacancy） 2. 间隙原子（interstitial） 3. 错放位置（错位质点） 4. 置换原子（溶质原子 5. 自由电子或电子空穴 6. 带电缺陷 7. 缔合中心 （二）缺陷反应方程式的写法 对于杂质缺陷而言，缺陷反应方程式的一般式： 1. 写缺陷反应方程式应遵循的原则 （1）位置关系 （2）质量平衡 （3）电中性 （1）位置关系 注意： 在化合物MaXb中，无论是否存在缺陷，其正负离子位置数（即格点数）的之比始终是一个常数a/b，即： 位置增值、表面位置 （2）质量平衡 注：VM不存在质量，下标M只表示缺陷位置 与化学反应方程式相同，缺陷反应方程式两边的质量应该相等。 （3）电中性（电荷守恒） 电中性要求缺陷反应方程式两边的有效电荷数必须相等。 2. 缺陷反应实例 例： 1）写出CaF2加入NaF中的缺陷反应方程式 2）写出CaO加入ZrO2中的缺陷反应方程式 3）写出Al2O3加入Cr2O3中的缺陷反应方程式 （1）杂质（组成）缺陷反应方程式 基本规律：