西电半导体物理教案chapter1.pptVIP

半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 西安电子科技大学 微电子学院 第一章 半导体晶体结构和缺陷 1.1 半导体的晶体结构 1.2 晶体的晶向与晶面 1.3 半导体中的缺陷 绪 论 什么是半导体 按不同的标准，有不同的分类方式。 按固体的导电能力区分，可以区分为导体、半导体和绝缘体 表1.1 导体、半导体和绝缘体的电阻率范围 此外，半导体还具有一些重要特性，主要包括： 温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降 如室温附近的纯硅(Si)，温度每增加8℃，电阻率相应地降低50%左右 微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力 以纯硅中每100万个硅原子掺进一个Ⅴ族杂质（比如磷）为例，这时 硅的纯度仍高达99.9999%，但电阻率在室温下却由大约214,000Ωcm降至0.2Ωcm以下 适当波长的光照可以改变半导体的导电能力 如在绝缘衬底上制备的硫化镉(CdS)薄膜，无光照时的暗电阻为几十MΩ，当受光照后电阻值可以下降为几十KΩ 此外，半导体的导电能力还随电场、磁场等的作用而改变 本课程的内容安排 以元素半导体硅(Si)和锗(Ge)为对象： 介绍了半导体的晶体结构和缺陷，定义了晶向和晶面 讨论了半导体中的电子状态与能带结构，介绍了杂质半导体及其杂质能级 在对半导体中载流子统计的基础