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一维无限深方势阱的能量 班级： 姓名： 学号： 一维无限深方势阱的能量 引言： 量子阱（QW）是指由2种不同的半导体材料相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱。量子阱的基本特征是，由于量子阱宽度 只有当阱宽尺度足够小时才能形成量子阱 的限制，导致波函数在一维方向上的局域化，量子阱中因为有源层的厚度仅在电子平均自由程内，阱壁具有很强的限制作用，使得载流子只在与阱壁平行的平面内具有二维自由度，在垂直方向，使得导带和价带分裂成子带量子阱中的电子态、声子态和其他元激发过程以及它们之间的相互作用，与三维体状材料中的情况有很大差别。在具有二维自由度的量子阱中，电子和空穴的态密度与能量的关系为台阶形状。而不是象三维体材料那样的抛物线形状LED等。 二、理论计算： 在一维无限深方势阱中粒子所处的势场为： 在0 x d范围内，粒子的势能为零，在x≥d范围内粒子的势能为无穷大。示意图如图1所示。 该势场内的定态薛定谔方程可写为： 因为波函数具有有限性和连续性，当x≥d 时U ∞，所以 0 当x 0时 0 令 （3） 则（1）式可写为 求解该方程得： 利用边界条件： 可得： 解得： 当n 1时，基态能量为 三、数值模拟： 将基态能量与势阱深度d的关系输入计算机，利用C语言程序计算并绘制基态能量与d的曲线,其程序如下：曲线如图所示： #include stdio.h #define PI 3.1座机电话号码 void main double E1[80]; double d 0.01; int i 0; for i 0;i 80;i++ E1[i] 0; E1[0] PI*PI / d*d ; printf d %f\tE[0] %f\n,d,E1[0] ; for i 1,d 0.1;i 80;i++,d+ 0.1 E1[i] PI*PI / d*d ; printf d %f\tE[%d] %f\n,d,i,E1[i] ; 四、结论： 由E与d的关系式可知，无限方势阱的能量与成正比，与成反比关系，由数值模拟的图像可得出，方势阱在d较小时有很大的能量，随着d的增加迅速减小，并趋向于零。所以研究量子阱具有深远的意义。 0 0 x d ∞ x≥d x U d O U 图1 （1） （2） 带入（3）式可求得能量：