《半导体物理学》semi_phys10.ppt

3.4杂质半导体的载流子浓度 一、杂质能级上的电子和空穴 电子（或空穴）占据杂质能级的概率不能用费米分布函数描述。杂质能级只能容纳任意自旋的一个电子（或空穴）。 可以证明： 电子占据施主能级的概率 空穴占据受主能级的概率 施主能级上的电子浓度 受主能级上的空穴浓度 电离施主杂质浓度 电离受主杂质浓度 二、n型半导体的载流子浓度 电中性方程（或条件）（半导体物理三大方程之一） 1.低温弱电离区 相关表达式代入后，可得 2.中间电离区 不可近似 温度继续升高，当 ， 当 ， ，施主杂质1/3电离。可直接求解方程。 3.强电离区 电中性条件 代入相关公式，可求得 不同掺杂浓度、不同温度下费米能级的变化趋势 掺杂浓度一定，T 0K时，n（p）型半导体费米能级位于导带底（价带顶）和施主（受主）能级中央，随温度升高，费米能级先上升（下降）后下降（上升）直至禁带中央。 T一定时，随施主（受主）浓度增加，费米能级向导带底（价带顶）靠近。 施主杂质全部电离后 室温下施主杂质全部电离时杂质浓度的上限 令 则 可以看出： 表示未电离施主占施主杂质数的百分比，取决于温度、电离能与杂质浓度。杂质浓度越高，达到全部电离的温度越高 。 例：掺磷的n型硅，室温时 磷杂质全部电离（90%）的浓度上限ND约为 ；考虑到以杂质电离为主，杂质浓度应高于本征载流子浓度一个数量级，全部电离的杂质浓度范围为1011～ 还可利用下式计算杂质全部电离时的温度。 4.过渡区 电中性条件 根据本征激发时 得到位移方程 以及 过渡区载流子浓度 解得 当 当 5.高温本征激发区 电中性条件 实际的本征半导体与理想半导体的区别 本征半导体的载流子主要依靠本征激发提供，杂质与缺陷的贡献小可忽略 理想半导体中无杂质与缺陷 三、p型半导体的载流子浓度 低温弱电离区 强电离区（饱和区） 过渡区 四、少数载流子浓度（强电离情况下，随T升高，少子浓度增加） n型半导体 p型半导体 小结：非简并半导体热平衡时的载流子浓度 EF费米能级是电子填充水平的标志 一个系统中的费米能级总是保持为一个相等的常数。 考虑两个特定的材料系统，热平衡状态下分别具有各自的费米能级，当二者紧密接触之后（完成价键对接），形成整个的统一系统，电子将首先填充最低的能态，因此电子将从费米能级高的材料中流向费米能级低的材料，直到二者具有统一的费米能级。 电中性条件 掺杂半导体的载流子浓度与温度的关系 费米能级与掺杂浓度、温度的关系 * * 分析问题思路 说明：在一定温度下，确定的半导体材料及杂质浓度，要精确求解费米能级有较大难度。 为方便计算，按温度分区间进行讨论：低温弱电离区、中间电离区、强电离区、过渡区、本征激发区（不同温度区间取不同的近似，根据已知条件可精确计算的不能取近似） 解得 玻尔兹曼近似成立 常温下完全电离的非简并半导体：n0 ND（n型半导体），p0 NA（p型半导体） 费米能级位置 非简并情况下各温度区间均适用 非简并n型半导体 EF Ec n0 Nd EFi n0 Nd ni 非简并p型半导体 EF EV p0 Na Nv EF EFi p0 Na ni 强电离时 温度一定时：费米能级上移，导带和价带的电子浓度均增加；费米能级下移，导带和价带的电子浓度均减少。 掺杂浓度一定时：处于强电离区（饱和区），温度上升，费米能级向禁带中央靠拢，多子浓度不变，少子浓度增加。 热平衡系统有统一的费米能级