《半导体物理学》semi_phys13.ppt

第4章 半导体的导电性 本章重点 载流子在外场作用下的漂移运动 载流子散射 迁移率、电导（阻）率随温度和杂质浓度的变化关系 负阻理论 4.1载流子的漂移运动和迁移率4.1.1欧姆定律 电流密度：通过垂直于电流方向的单位面积的电流。 欧姆定律的微分形式 4.1.2漂移速度和迁移率 4.1.3半导体的电导率和迁移率 在电场强度不是很大的情况下 4.2载流子的散射4.2.1载流子散射的概念 热运动：无规则的、杂乱无章的运动 平均自由程：连续两次散射间自由运动的平均路程 平均自由时间：连续两次散射间的平均时间 4.2.2半导体的主要散射机构 散射的原因：附加势场的存在 1.电离杂质散射 浅能级杂质在半导体中未电离时是中性的，电离后成为正电中心，而受主杂质电离后接受电子成为负电中心，因此离化的杂质原子周围就会形成库仑势场，载流子因运动靠近后其速度大小和方向均会发生改变，也就是发生了散射，这种散射机构就称作电离杂质散射。 电离杂质的散射几率： Ni越高，载流子受电离杂质散射的几率越大； 温度升高导致载流子的热运动速度增大，从而更容易掠过电离杂质周围的库仑势场，遭电离杂质散射的几率反而越小。 说明：对于施受主（全部电离）并存的半导体，考虑载流子浓度时取二者之差；而考虑散射时Ni取二者之和. 对于经过杂质补偿的n型半导体，在杂质充分电离时，补偿后的有效施主浓度为ND-NA ，导带电子浓度n0=ND-NA； 而电离杂质散射几率Pi中的Ni应为ND+NA，因为此时施主和受主杂质全部电离，分别形成了正电中心和负电中心及其相应的库仑势场，它们都对载流子的散射作出了贡献，这一点与杂质补偿作用是不同的。 2.晶格振动散射 （1）声学波和光学波 格波：晶格振动，每个原子的振动都是若干个波的叠加。 格波波数矢量q ：波传播的方向矢量，其大小为波长的倒数。 色散关系：频率与波矢之间的函数关系，取决于晶体原胞中的原子数，对于简单晶格对应一个q具有3个格波（色散关系曲线为3条），对于复式格子对应一个q具有3n个格波。 声学波和光学波：频率低的为声学波3支，频率高的是光学波3n-3支。无论声学波还是光学波均为一纵波（振动与波传播方向相同），其余为横波（振动与波传播方向垂直）。在长波范围内，声学波的频率与波数成正比，光学波的频率近似是一个常数。长声学波原胞内原子振动方向相同，代表质心的振动；长光学波原胞内原子振动方向相反，质心不动。 格波的能量：量子化取值 格波能量每增加或减少，称作吸收或释放一个声子。 根据玻耳兹曼统计理论，温度为T时，频率为υa的格波的平均能量及平均声子数 电子与声子的碰撞遵循两大守恒法则 准动量守恒 能量守恒 一般而言，长声学波散射前后电子的能量基本不变，为弹性散射。光学波散射前后电子的能量变化较大，为非弹性散射。 根据电子的热运动速度估计电子的波长为10-8m,声子和电子波应有相同量级的波长，应为长波（一个波长内包含了几十个原子，原子间距为10-10m ） 在长声学波中，纵波对散射起主要作用，通过体变产生附加势场。疏处原子间距变大，禁带宽度变小；密处原子间距变小，禁带宽度变大。 对于单一极值，球形等能面的半导体，导带电子的散射几率 对于价带空穴的散射也可以得到类似的关系。 因为电子热运动速度与T1/2成正比，所以根据上式可以看出，声学波散射概率PS与T3/2成正比。即 （3）光学波散射 正负离子的振动位移产生附加势场 离子晶体中光学波对载流子的散射几率 3.其他因素引起的散射 （1）等同的能谷间散射 g散射：同一坐标轴能谷间散射 f散射：不同坐标轴能谷间散射 其中第一项对应吸收一个声子的概率 第二项对应发射一个声子的概率 （2）中性杂质散射 在重掺杂半导体中起作用 （3）位错散射 （4）合金散射 4.3迁移率与杂质浓度和温度的关系 4.3.1平均自由时间与散射概率的关系 在 被散射的电子数 上式的解为 (其中N0为t=0时刻未遭散射的电子数) 在　　　　　　被散射的电子数 平均自由时间 4.3.2电导率、迁移率与平均自由时间的关系 t=0时刻电子遭到散射，经过t后再次被散射，则在t时间内电子被加速 多次散射后， 在x方向上的分量为0 ， 平均速度 n型： p型： 一般： 对于等能面为旋转椭球面的多极值半导体，如电场沿[100]方向，则 令 所以 mc称为电导有效质量，对于硅mc = 0.26m0 由于电子电导有效质量小于空穴电导有效质量，所以电子迁移率大于空穴迁移率。 4.3.3迁移率与