数字射线工艺规程2-ISO9001.docVIP

1、概述 本规程适用于检测。 简称DR板。是一块由玻璃衬底的非晶硅阵列板，表面涂有闪烁体——碘化铯，其下方是按阵列方式排列的薄膜晶体管电路组成。硅元件按吸收射线量的多少产生正比例的正负电荷对，储存于薄膜晶体管内的电容器中，扫描控制器读取电路将光电信号转换为数字信号，经数据处理后在显示器上显示。 3.2 数字成像检测系统Digital Radigraphy Inspection System 简称DR系统。指由、和软件等组成的，能将。 信噪比 ignal-to-Noise Ratio 指线性的信号强度平均值与在信号强度处噪声（强度分布）标准偏差的比值。SNR取决于人员资格.1按本规程从事射线检测人员必须按本公司的NDE人员培训、考试和认证实施细则进行资格考核。 .2 从事DR检测的人员需具备RTⅡ级及以上资格。 5、设备.1 DR板 DR板选用DXR-250P型，参数如下： 表 1 闪烁体材料 GOS 图像格式 2048 x 2048 像素间距 200um 最短曝光时间 130ms 有效面积 410 x 410mm 动态范围 10,000:1 5.2射线机 本规程采用X射线。射线应从表中选用。表 类型 制造厂家 最大管电压 KVp 最大管电流 mA 焦点尺寸 (mm) 可透最大钢厚度mm Eresco 42MF4 GE 200 10 3.0 x 3.0 38 MG226 YXLON 225 15 3.0 x 3.0 1.0 x 1.0 40 XXQ-2005D Dandong 200 5 1.5 x 1.5 29 XXQ-2505D Dandong 250 5 2.0 x 2.0 39 5.3 双丝像质计（Pt-W IQI） 应使用双丝像质计测量不清晰度。制造和标识应符合的要求。表像质计 线对编号 （D代表双线） 线径和间距d (mm) 13D 0.050 12D 0.063 11D 0.080 10D 0.100 9D 0.130 8D 0.160 7D 0.200 6D 0.250 5D 0.320 4D 0.400 3D 0.500 2D 0.630 1D 0.800 5.4对比灵敏度试块 对比灵敏度试块的制造和材质应符合ASME SE1647的规定。试块上加工的凹面深度R应分别为试块厚度的1%、2%、3%和4%。 5.5像质计(IQI) .5.1应使用线型像质计(表4)。线型像质计的制造和标识应符合SE-747的要求。 .5.2 金属丝的材质应与被透检材料相同，或其射线吸收小于被检材料。 表4像质计组别和线径 表面要求 在射线检测之前，被检工件的表面应经外观检测并合格。表面的不规则状态不得掩盖或干扰缺陷影像，否则应对表面作适当修整。 透照标记被检工件的每一透照区段，加上识别和。上所显示的标记应位于有效评定区之外识别标记包括：产品编号、部位编号和日期。返修后的透照还应有返修标记,扩大检测比例的透照应有扩大检测标记。 6.2.3定位标记。。双线型像质计测量~5°的夹角。射线源到DR板的距离应大于1000mm，射线机管电压90kV(无滤波)，管电流应该使无线对区域的灰度值为DDA全饱和灰度值的80%。 测量应该在线对图形中间的60%区域内进行 (如图1)。 SRb由可辨识的最后一组线对与前一组线对的线性插值计算得出。最后一组线对间的灰度值下降大于20%，前一组线对间的灰度值下降小于20%。 其中，D1为最小线对的直径，且空隙分辨率的20%。D2是最大线对的直径，且空隙分辨率的20%。R1和R2分别为D1和D2线对间灰度的百分比(如图1)。 图1 6.4对比灵敏度（CS） 采用对比灵敏度试块测量系统的对比灵敏度。 将试块置于工件上，或直接放置在DR板上，采用适当的透照参数形成数字影像。 对比灵敏度测量结果，用下列公式计算： R—凹槽深度，T—试块厚度，S—垫片厚度 6.5系统 开始工作前，应对系统的空间分辨率和对比灵敏度进行校验。遇有下述情况应进行复核： 检测工艺发生改变时； 检测人员怀疑检测灵敏度有变化时； 连续工作6h以上时； 工作结束时。 6.6检测灵敏度 采用线型像质计测量灵敏度在符合要求后，进行检测时可只放置线型像质计。射线照相技术 X射线管电压和射线源的选择 为获得良好的照相灵敏度，应选用尽可能低的X射线管电压。图中给出了X射线透照不同材料和不同厚度时，所允许使用的最高管电压。 图2 X射线透照不同材料和不同厚度时，所允许使用的最高管电压射线束方向 射线束应指向在被检测区域的中心，并在该点与被检工件表面垂直。但如果采用其他透照角度有利于检出某些缺陷时，也可选择不同方向进行透照。 射线照相的其他方