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集成10 半导体制造工艺 硅PNP双极型晶体管 PNP Bipolar Junction Transistors 小组成员 李 钊 戴金锐 王伟利 目录 （1）器件的应用 （2）器件的结构及名称 （3）器件的制作工艺 （4）器件的发展历程 （5）双极型器件的扩展 一、器件的应用 双极性晶体管能够放大信号,提供较高的跨导和输出电阻，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。 并且可以将它控制在截止和饱和状态下用作开关器件。 平衡条件下的PNP三极管的示意图 三极管俯视图 三、器件的制作工艺 四.双极结型晶体管的发展历史 1947.12.23日第一只点接触晶体管诞生-Bell Lab.(Bardeen、Shockley、Brattain) 1949年提出PN结和双极结型晶体管理论-Bell Lab.(Shockley) 1951年制造出第一只锗结型晶体管-Bell Lab.(Shockley) 1956年制造出第一只硅结型晶体管-美德州仪器公司（TI） 1956年Bardeen、Shockley、Brattain获诺贝尔奖 1956年中国制造出第一只锗结型晶体管-（吉林大学高鼎三） 1970年硅平面工艺成熟，双极结型晶体管大批量生产 在图中的异质结双极性晶体管中，基极区域的能隙分布不均匀有利于少数载流子（电子）通过基极区域。图中浅蓝色表示耗尽层。 异质结双极性晶体管（heterojunction bipolar transistor）是一种改良的双极性晶体管，它具有高速工作的能力。研究发现，这种晶体管可以处理频率高达几百GHz的超高频信号，因此它适用于射频功率放大、激光驱动等对工作速度要求苛刻的应用。 异质结是PN结的一种，这种结的两端由不同的半导体材料制成。在这种双极性晶体管中，发射结通常采用异质结结构，即发射极区域采用宽禁带材料，基极区域采用窄禁带材料。常见的异质结用砷化镓（GaAs）制造基极区域，用铝-镓-砷固溶体（AlxGa1-xAs）制造发射极区域。[1]:101采用这样的异质结，双极性晶体管的注入效率可以得到提升，电流增益也可以提高几个数量级。 * * * 二、器件的结构图 三极管剖面图 C：collector 集电区 B：base 基区 E：emitter 发射区 五.双极型器件的扩展——异质结双极性晶体管 * *
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