01第1章半导体基础和二极管浅析.ppt

不同类型的二极管 本章小结 1.半导体二极管 2.稳压管 第一章基本要求 1.普通二极管、稳压管的外部特性和主要参数。 2.普通二极管、稳压管的基本应用。 重点掌握： * PN结的单向导电性 PN结正偏时的正向电流（是扩散电流）数值较 大，此时容易导电； PN结反偏时的反向电流（是漂移电流）数值很 小，几乎不导电。 2. PN结的伏安特性及其表达式 Is为反向饱和电流，常温时：UT ≈26mV 温度对反向电流的影响大： PN加正向电压，且UUT时， PN加反向电压，且? U ? UT时， T↑ 少子 ↑ ↑ IS ↑ ↑ I / mA U / V 3. PN结的击穿特性 当PN结反向电压超过一定数值UBR后，反向电流急剧增加，该现象称为反向击穿， UBR称为反向击穿电压。 齐纳击穿 雪崩击穿 齐纳击穿：在掺杂浓度高的情况下，不大的反向电压可以在耗尽层产生很强的电场，直接破坏共价键，形成电子－空穴对，导致电流急剧增加。硅材料一般在4V以下。 3. PN结的击穿特性 雪崩击穿：掺杂浓度低，当反向电压比较大时，耗尽层中的少子加快漂移速度，撞击共价键，形成电子－空穴对，新的电子和空穴在电场的作用下加速运动，撞出新的价电子。载流子雪崩式倍增，导致电流急剧增加。一般在7V以上。 在4 ～7V之间，两者都有，其温度特性较好。