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第二章 pn结和晶体二极管 第四节 pn结击穿 第二章 pn结和晶体二极管 雪崩倍增因子 第二章 pn结和晶体二极管 影响雪崩击穿电压因素 第二章 pn结和晶体二极管 隧道击穿（齐纳击穿） 隧道效应：电子具有波动性，可以有一定的几率穿过位能比电子动能高的势垒区。 第二章 pn结和晶体二极管 雪崩击穿与隧道击穿的比较 第二章 pn结和晶体二极管 第二章 pn结和晶体二极管 PN结开关的瞬态特性 第二章 pn结和晶体二极管 电荷存储效应 第二章 pn结和晶体二极管 反向恢复时间 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.03.02 pn结击穿：pn结反向偏压增大到某一值VB时，反向电流突然迅速增 雪崩击穿 --由碰撞电离的雪崩倍增效应引起 碰撞电离率 ：每个自由电子（空穴）在单位距离内通过碰撞电离而产生的新的电子-空穴对的数目。 大的现象。 基本原因：载流子数目的突然增加 --IV.pn结击穿 雪崩击穿条件 电离率积分的大小主要取决于最大电场强度Emax附近的一个极窄的区域。粗略认为， Emax小于某值Ec（雪崩击穿临界电场强度）时，势垒区内各点处ai都很小。 雪崩击穿电压经验公式： 单边突变结- 线性缓变结- 雪崩击穿经验公式 --IV.pn结击穿 杂质浓度及分布方式 选用低掺杂的高阻材料作衬底/通过深扩散作深结 外延层厚度 P+NN+结构 棱角电场 柱面、球面曲率半径小、电场集中，易雪崩击穿 温度 正温度系数 --IV.pn结击穿 隧道电流密度 ： 隧道长度最小值： 当反向电压V增加到使势垒区中最大电场达到一个临界值时，隧道长度也小到一个临界值，这时有大量的P区价带电子通过隧道效应流入到N区导带，使隧道电流急剧增加，即隧道击穿/齐纳击穿。 --IV.pn结击穿 掺杂影响 热击穿 破坏性，不可逆的 基于热效应-电流与结温之间形成正反馈的结果 光照等外界影响 雪崩击穿电压下降 共性：电击穿，非破坏性，可逆的，假定恒温 温度系数 雪-正 隧-负 反向特性 雪崩倍增因子： 理想开关的条件： 1）直流特性 开态电压为零，关态电流为零 2）瞬态特性 打开瞬态出现定态电流，关态瞬间电流即消失 PN结开关直流特性 直流时,开态有微压降,关态有微电流 第五节 pn结的开关特性 轻掺杂一侧杂质浓度越低,正向压降越小 减小欧姆接触电阻 工艺上减小漏电导,以减小反向电流 --V.pn结的开关特性 影响开关速度的主要因素： 反向恢复时间tr --V.pn结的开关特性 条件：P+N结二极管，N区厚远大于少子扩散长度 根据电流连续性方程，有： 积分 反向时，根据电流连续性方程，有： --V.pn结的开关特性 积分 少子储存电荷的下降是由反向电流的抽取和少子自身的复合引起的 提高开关速度的措施： 1）器件本身参数角度 2）减小轻掺杂区厚度 3）电路角度 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.03.02 * * * *