大学物理14半导体器件.pptVIP

电 工 学 本学期：40学时 要求：每周交作业一次，4 次不交者取消期末考试资格；无故旷课4次者取消期末考试资格。作业要抄题，用专用本做作业。 电子技术是与电子学有关的理论和技术，是研究电子器件和电子电路的工作原理及其应用的一门科学技术，是高等院校理工科学生必修的技术基础课程。 1、电子技术发展概况 到了20世纪中期1948年美国贝尔实验室发明了晶体管，称作半导体器件。它的体积小、寿命长、功率转换、效率高。晶体管的出现为电子技术领域一个新的天地，从此电子技术的应用进入了一个高速发展的时代。 2009年intel处理器：超大规模集成电路线宽是45nm，2011年下半年将实现22nm。 2009刚刚开始，Intel总裁兼CEO Paul Otellini就展示了世界上第一块基于22nm工艺的晶圆，并宣布将于2011年下半年发布相应的处理器产品，开发代号Ivy Bridge。据透露，该晶圆上的每个指甲盖大小的单独硅片内都集成了多达29亿个晶体管 是32nm处理器的大约两倍 和3.64亿比特SRAM存储，其中SRAM单元包括有两种：面积0.108平方微米的针对低压操作而优化，面积0.092平方微米的则针对高密度优化，并再次刷新了SRAM单元面积的世界记录。 英特尔将在2013年完成15nm芯片封装 摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上。这一定律揭示了信息技术进步的速度。 未来半导体将朝着哪个方向发展呢？量子理论 第14章 半导体器件 14.1 半导体的导电特性 14·1·1 本征半导体 14·1·1 本征半导体 14·1·1 本征半导体 14·1·1 本征半导体 了解下列名词： 共用电子与共价键 自由电子与空穴 热运动与动态平衡 复合 载流子 本征半导体在不同的温度下，自由电子和空穴的浓度不同，所以导电性能也不同，当绝对温度等于0度（摄氏-273.15℃）时，为绝缘体。 14·1·2 N型半导体和P型半导体 1. N型半导体 电子半导体）负Negative 14·1·2 N型半导体和P型半导体 14·2 PN结及其单向导电性 结论： 自由电子从N区向P区扩散，空穴从P区向N区扩散。 14·2 PN结及其单向导电性 14·2 PN结 了解下列名词： 扩散运动 漂移运动 动态平衡 空间电荷区（PN结） 阻挡层 耗尽层 14·2·2 PN结的单向导电性 14·2·2 PN结的单向导电性 14·2·2 PN结的单向导电性 补充：PN结的电容效应 扩散电容 势垒电容 14·3 半导体二极管 14·3 半导体二极管 14·3·2 伏安特性 I f U 14·3·2 伏安特性 Is：反向饱和电流U：管压降UT：温度的电压当量（常温下为26mV） 当U＞0V，且U比UT大得多时， 14·3·3 主要参数 结论： 对于共阴连接的二极管，看阳极电位，谁高谁导通。 对于共阳极连接的二极管，看阴极电位，谁低谁导通。 换句话说，不管是共阴还是共阳连接的二极管，谁的压差大（阳极到阴极之间的电压），谁就导通 作业： 14.3.6 14.3.8 14.3.9 14·4 稳压二极管 [例题] 一.三极管的结构简介 二.三极管的电流放大作用 三.三极管的共射特性曲线 四.三极管的主要参数 放大是对模拟信号最基本的处理 14·5 半导体三极管 三极管有： 三个极：E、B、C 三个区：发射区 基区 集电区 两个结：发射结和集电结 14·5·2 电流分配和放大原理 14·5·2 电流分配和放大原理 14·5·2 电流分配和放大原理 14·5·2 电流分配和放大原理 14·5·2 电流分配和放大原理 14·5·2 电流分配和放大原理 14·5·2 电流分配和放大原理 14·5·3 特性曲线 14·5·3 特性曲线 14·5·4 主要参数 14·5·4 主要参数 14·5·4 主要参数 14·5·4 主要参数 14·5·4 主要参数 [例题] [例题] 14.5.3 特性曲线 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC