西安交通大学_微电子制造技术_第十四章_光刻2中学课程.pptVIP

微电子制造技术第 14 章 光刻：对准和曝光 概 述 对准就是把所需图形在硅片表面上定位或对准。而曝光是通过曝光灯或其它辐射源将图形转移到光刻胶涂层上。如果说光刻胶是光刻工艺的“材料”核心，那么对准和曝光则是该工艺的“设备”核心。图形的准确对准是保证器件和电路正常工作的决定性因素之一。 因为最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶园表面一层一层叠加建立起来的。图形定位的要求就好像是一幢建筑物每一层之间所要求的正确对准。如果每一次的定位不准，将会导致成品率下降或者整个电路失效。 掩膜版上设计的每一层图形都有一个特殊功能，如接触孔、MOS的源漏区或金属线等，光刻过程中掩膜版把这些图形彼此套准来制成硅片上的器件或电路。版图套准过程有对准规范，就是前面提出的套准容差。怎样精确地把亚微米尺寸套准，对光学光刻提出了特殊的对准挑战。 学 习 目 标 1. 解释光刻中对准和曝光的目的； 2. 描述光刻中光的特性及光源的重要性； 3. 了解光学系统对光刻工艺的重要性； 解释分辨率，说明它对光刻的重要性； 了解光刻中获得精确对准的方法。 光学曝光 在曝光过程中，从光源发出的光通过对准的掩膜版（版上有黑白分明的区域，这些区域形成了要转移到硅片表面的图形）对涂胶的硅片曝光。曝光的目的就是要把掩膜版上的图形精确地复制到涂胶的硅片上。 曝光的一个方面是在所有其它条件相同时，曝光光线波长越