第五章 硅外延生长.pptVIP

第五章 硅外延生长 5.1外延生长的概述 定义: 外延 epitaxy ：是在单晶衬底上，按衬底晶向生长一层单晶层的技术。 新生单晶层按衬底晶相延伸生长，并称此为外延层。 长了外延层的衬底称为外延片。 分类 根据结构 同质外延:外延层材料与衬底材料是同种材料， Si –Si,GaAs-GaAs 异质外延:外延层材料与衬底材料不是是同种材料 蓝宝石上生长Si，GaAs—GaAlAs 器件的应用 正向外延：器件制作在外延层上 反向外延：器件制作在衬底上，外延层起支撑作用 分类 根据生长的方法 直接外延：用加热、电子轰击或外加电场等方法使生长的材料原子获得足够的能量，直接迁移沉积在衬底表面上完成外延生长的方法。真空淀积、溅射、升华 间接外延：利用化学反应在衬底表面上沉积生长外延层，广义称CVD，生长的薄膜是单晶的CVD称外延。 根据向衬底输运外延材料原子的方法 气相外延：常用，高温（800-1150℃） 液相外延：应用于Ⅲ-Ⅴ化合物的外延层的制备 固相外延：应用于离子注入后的热处理，注入后产生的非晶区通过固相外延转变为晶体 外延生长的特点 可以在低 高 阻衬底上外延生长高 低 阻外延层 可以在P N 型衬底上外延生长N P 型外延层 可进行选择性外延 在外延过程中，可根据需要改变掺杂的种类及浓度 可生长异质、多层、多组分化合物且组分可变的超薄层 可进行低温外延 可生长不能拉制单