第01章半导体二极管及其应用电路摘要.ppt

基本应用电路 全波整流电路 牢记全波整流电路下列2个电路特征： （1）一组全波整流电路中使用两只整流二极管； （2）电源变压器次级线圈必须有中心抽头。 ⒉二极管限幅电路 又称为：“削波电路”, 能够把输入电压变化范围加以限制，常用于波形变换和整形。 例：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF 2V，输入信号为ui。 1 若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo 解：（1）采用理想模型分析。 采用理想二极管串联电压源模型分析。 （2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。 解：①采用理想二极管 模型分析。波形如图所示。 0 -4V 4V ui t 2V 2V uo t 0 2.7V uo t 0 -4V 4V ui t 2.7V ②采用理想二极管串联电压源模型分析，波形如图所示。 二极管阳极电位 ui 8V， 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V 例： 二极管的用途： 整流、检波、 限幅、钳位、开 关、元件保护、 温度补偿等。 ui 18V 参考点 二极管阴极电位为 8 V D 8V R uo ui + + – – 二极管D截止， 可看作开路, uo ui. 二极管阳极电位 ui 8V， 二极管D导通， 可看作短路, uo 8V 二极管限幅电路及波形（图） 2.7V 例2： ⒊二极管电平选择电路 能够从多路输入信号中选出最低电平或最高电平的电路称为电平选择电路。 二极管电平选择电路（图） 1、输入u1、u2，加入方波信号,二极管的导通电压UON 0.7v 2、 E为电源，为5V电压。 3、看输出u0的变化情况 以上为低电平选择电路。 特殊二极管 硅稳压二极管 光电二极管和光电池 发光二极管 稳压二极管 稳压二极管是一种特殊工艺制造的结面型硅二极管,通常工作在反向击穿状态. V-I特性和符号 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数 稳定电压 稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管 正向同二极管 反偏电压≥UZ 反向击穿 ＋ UZ － 限流电阻 * 稳压二极管符号及其伏安特性曲线 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 - + ? IZmin iZ /mA uZ/V O ?UZ ? IZmax ?UZ ?IZ ? IZ 稳压二极管的特性 工作条件：反向击穿 正向同二极管 稳定电压 稳压二极管的主要参数 1 稳定电压UZ —— 2 动态电阻rZ —— 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ ?U /?I rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 3 最小稳定工作 电流IZmin—— 保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。 4 最大稳定工作电流IZmax—— 超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。 多硅晶块 硅原料 高温下加工提炼、分离、冷却 单晶炉 单晶棒 高温、提拉、冷却 晶片 通过一定的提纯工艺过程，可以将半导体制成晶体。 化学成分完全纯净的,具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。（制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.座机电话号码%，常称为“九个9”）。 * * * * * 理解二极管静态电流对动态电阻的影响，学会静态分析与动态分析的方法。 * * 根据理论分析： u 为PN结两端的电压降 i 为流过PN结的电流 IS 为反向饱和电流 UT kT/q ，称为温度的电压当量 其中k为玻耳兹曼常数 1.38×10－23 q 为电子电荷量1.6×10－9 T 为热力学温度，对于室温（相当T 300 K） 则有UT 26 mV。 当 u 0 u UT时 当 u 0 |u| |U T |时 4. PN结的电容效应 当外加电压发生变化时，耗尽层的宽度要相应地随之改变，即PN结中存储的电荷量要随之变化，就像电容充放电一样。 1 势垒电容CB 2 扩散电容CD 当外加正向电压不同时，PN结两侧堆积的少子的数量及浓度梯度也不同，这就相当电容的充放电过程。 电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来 极间电容（结电容） 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。 a b c 4. 在外加电压 电场 的作用下，P 型半导体中的电流主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子