材料物理讲稿第3章重点.ppt

3.1 晶体缺陷概述(Summary of crystal defects) 3.2.5 点缺陷对性能的影响（Influences of point defects on properties) 3.2.6 过饱和点缺陷（Supersaturation point defects ) 产生原因： 刃型位错的半原子面垂直于滑移面的上下移动 攀移伴随着扩散，需要比滑移更大的能量，所以攀移需要热激活，称为非守恒运动。 滑移不需要热激活，称为守恒运动。 位错密度为晶体单位体积内位错线的长度 位错的应变能：位错造成晶体的局部应变，引起的自由能升高 单位长度位错所引起的应变能： E=?Gb2 G：切弹性模量，b：柏氏矢量的模，?：与几何因素有关的系数，取值为0.5～1。 形成过程 形成过程 晶界面由周期性排列的结构单元组成。 概念：晶体中的局部的堆垛顺序错误，是一种面缺陷。 例:fcc密排面的正确堆垛顺序ABCABCABC……因晶体生长时的随机错误或晶面相对滑动，出现ABCBCABC……或ABCBABCABC……堆垛，局部顺序由原来的“正序” AB、BC、CA变成“反序”BA、AC、CB，相当于正确堆垛顺序中抽出或插入了一层密排面。 实例：锗{111}清洁表面的弛豫（